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本申请提供了一种半导体器件与电子设备，涉及半导体领域。该半导体器件包括：器件主体；位于器件主体内的栅极；位于器件主体一侧的源极；位于器件主体与源极一侧的第一介质层；位于第一介质层远离器件主体一侧的第二介质层；贯穿第二介质层与第一介质层并与源...
该专利属于通威微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威微电子有限公司授权不得商用。

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