半导体功率器件及其制备方法和电子设备技术

本发明专利技术提出一种半导体功率器件及其制备方法和电子设备，包括：提供衬底层；在衬底层的上表面生长具有第一预设厚度的基础介质层；在基础介质层上表面生成第二预设厚度的外延介质层；在外延介质层上方放置电极组件，并对电极组件持续施加电压至第一预设时间后停止，以使可移动离子在外延介质层聚集；去除包含可移动离子的外延介质层。本发明专利技术通过静电感应的方式在外延介质层上实现可移动离子的聚集，并去除外延介质层，从而去除了可移动离子，使得半导体功率器件的有效性得到极大改善。导体功率器件的有效性得到极大改善。导体功率器件的有效性得到极大改善。

【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件及其制备方法和电子设备


[0001]本专利技术涉及技术半导体领域，尤其是涉及一种半导体功率器件及其制备方法和电子设备。

技术介绍

[0002]功率器件是功率电子技术方面的核心器件,作为开关控制器件例如VDMOS(vertical double
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deffused metal oxide semiconductor，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管),上述器件被广泛应用于电器，车辆及工业等领域。
[0003]在实际应用中，对功率器件的有效性有着非常严格的要求，一般评价指标都是通过可靠的实验来完成的，其中关于指标HTRB(High TemperatureReverse Bias，高温反向偏压实验)就是通过器件结构设计和工艺优化来实现目标的。
[0004]目前，改善HTRB的方式是在工艺中降低氧化介质层内的可动离子正电荷，例如提高生产线和设备的洁净度或者在高温工艺过程中加入氯离子以将可动金属离子排出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底层；在所述衬底层的上表面生长具有第一预设厚度的基础介质层；在所述基础介质层上表面生成第二预设厚度的外延介质层；在所述外延介质层上方放置电极组件，并对所述电极组件持续施加电压至第一预设时间后停止，以使可移动离子在所述外延介质层聚集；去除包含所述可移动离子的外延介质层。2.根据权利要求1所述的半导体功率器件的制备方法，其特征在于，所述基础介质层之间存在空隙，所述制备方法还包括：在所述空隙处的衬底层上表面生长具有第三预设厚度的临时介质层；在所述电极组件停止施加电压后，去除所述临时介质层。3.根据权利要求2所述的半导体功率器件的制备方法，其特征在于，所述去除所述临时介质层之后，所述制备方法还包括：在所述空隙处的衬底层的上表面铺设分压环金属；在所述衬底层的下表面形成接触层，并在所述接触层的下表面形成背面金属。4.根据权利要求1所述的半导体功率器件的制备方法，其特征在于，所述对所述电极组件持续施加电压至第一预设时间后停止，以使可移动离子在所述外延介质层聚集包括：对所述电极组件持续施加负电压至第一预设时间后停止，以使可移动阳离子在所述外延介质层聚集。5.根据权利要求1所述的半导体功率器件的制备方法，其特征在于，所述对所述电极组件持续施加电压至第一预设时间后停止，以使可移动离子在所述外延介质层聚集包括：对所述电极组件持续施加正电压至第一预设时间后停止，以使可移动阴离子在所述外延介质层聚集。6.根据权利要求1所述的半导体功率器件的制备方法，其特征在于，所述外延介质层被配置为圆弧曲面。7.根据权利要求1所述的半导体功率器件的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度的厚度范围包括：100nm
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1000nm，所述第二预设厚度的厚度范围包括：1nm
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1000...

【专利技术属性】
技术研发人员：董莹锋，
申请(专利权)人：宁波比亚迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：