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半导体功率器件及其制备方法和电子设备技术
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文档序号:37679960
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本发明提出一种半导体功率器件及其制备方法和电子设备,包括:提供衬底层;在衬底层的上表面生长具有第一预设厚度的基础介质层;在基础介质层上表面生成第二预设厚度的外延介质层;在外延介质层上方放置电极组件,并对电极组件持续施加电压至第一预设时间后停...
该专利属于宁波比亚迪半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宁波比亚迪半导体有限公司授权不得商用。
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