一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，器件电场集聚区上方有浮空场板，浮空场板和电极之间有纵向间距，浮空场板为金属材质，器件的电极和浮空场板均位于介质层内。在半导体器件中使用浮空场板结构在电场集聚位置上方覆盖一金属材料，利用金属的等势体特性，将器件边缘的高电势转移，增大了器件边缘耗尽区边界的曲率，可有效降低峰值电场。场。场。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]宽禁带半导体材料凭借其优良的特性(较宽的禁带宽度、高击穿电场等)在大功率器件中有广泛应用前景。衡量宽禁带功率器件性能的标准是功率品质因数，其表达式为V
br2
/R
on
，其中V
br
为击穿电压，R
on
为导通电阻。然而，宽禁带功率器件及宽禁带半导体功率IC中存在着电场集中效应，会引起器件或系统的过早击穿，造成V
br
的降低，影响器件或系统性能及稳定性。这阻碍了宽禁带半导体材料的进一步应用推广，因此需要一种简单有效的方法抑制宽禁带功率器件和功率IC中的电场集中效应。
[0003]现有的场板结构能够使器件的电场峰值位置发生转移，在不影响器件导通电阻的前提下提高器件击穿电压，从而提高功率品质因数。虽然现有场板结构能够有效降低电极边缘的电场，但在场板的下方的介质中会引入较高的电场峰值，对介质质量要求较高，尤其在氧化镓等高介电常数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，器件电场集聚区上方有浮空场板，浮空场板和电极之间有纵向间距，浮空场板为金属材质，器件的电极和浮空场板均位于介质层内。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括横向二极管器件，所述介质层内有阳极和阴极，所述阳极电场集聚区上方有浮空场板。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括垂直二极管器件，所述垂直二极管器件的阳极上包括至少一个连接的一层场板，每一个所述一层场板的电场集聚区上方有浮空场板。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述二极管器件包括至少两个横向二极管器件组合而成的集成的器件，集成器件的所有阳极上方共有一浮空场板。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括MOSFET器件，所述MOSFET器件的栅极、漏极和源极在介质层内，所述栅极的电场集聚区上方有浮空场板。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括至少两个横向MOSFET...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐光伟，韩照，向学强，赵晓龙，龙世兵，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：