【技术实现步骤摘要】
一种射频功率放大器保护电路及保护方法
[0001]本专利技术涉及种功率放大器设计领域,特别是涉及一种射频功率放大器保护电路及保护方法。
技术介绍
[0002]在远距离无线通信领域,射频功率放大器是不可或缺的前端组件。为实现足够的增益和输出功率,射频功率放大器一般采用多级结构,如图1所示,串联的Stage1、Stage2和Stage3组成功率放大器电路。Stage1和Stage2为功率放大器的驱动级,Stage3为功率放大器的输出级。功率控制电路Controller产生功率放大器Stage1、Stage2和Stage3所需的偏置电流IB1、IB2和IB3。VCC和VBATT分别为功率放大电路和功率控制器电路Controller的电源。RFIN和RFOUT分别代表射频输入信号和射频输出信号。大的输出功率需要功率放大器的有源器件可以承受更高的射频电压,因此射频功率放大器的有源器件一并选用GaAs HBT器件。为了降低成本,功率控制电路Controller一般采用CMOS工艺。
[0003]虽然采用GaAs HBT器件作为功 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器保护电路,其特征在于,包括功率控制电路、功率放大电路和过压保护电路;射频信号接入所述功率放大电路后放大输出;所述功率控制电路与所述功率放大电路相连,并为所述功率放大电路提供偏置信号;所述过压保护电路连接至电源电压,所述过压保护电路根据所述电源电压调整所述功率放大电路的供电电压,并根据所述电源电压输出不同的控制信号于所述功率控制电路,所述功率控制电路根据所述控制信号调整所述偏置信号。2.如权利要求1所述的射频功率放大器保护电路,其特征在于,所述功率控制电路包括第一功率放大器、第二功率放大器和第三功率放大器;所述射频信号输入至所述第一功率放大器,所述第一功率放大器、所述第二功率放大器和所述第三功率放大器依次相连后输出放大后的所述射频信号。3.如权利要求2所述的射频功率放大器保护电路,其特征在于,所述过压保护电路与所述第一功率放大器与所述第二功率放大器相连,所述过压保护电路根据所述电源电压调整所述第一功率放大器和所述第二功率放大器的供电电压;所述电源电压与所述第三功率放大器相连,为所述第三功率放大器提供工作电压。4.如权利要求1所述的射频功率放大器保护电路,其特征在于,所述过压保护电路包括第一比较器、第二比较器、第一电阻、第二电阻和线性稳压模块;所述电源电压与所述第一电阻的一端相连,所述第一电阻的另一端与所述第一比较器的正极、所述第二比较器的正极以及所述第二电阻的一端相连,所述第二电阻的另一端接地;所述第一比较器和所述第二比较器的负极分别接第一参考电压和第二参考电压;所述第一比较器的输出端与所述线性稳压模块相连并输出第一控制信号;所述第二比较器的输出端与所述线性稳压模块相连,向所述线性稳压模块输出第二控制信号,所述线性稳压模块输出第一电压或第二电压。5.如权利要求4所述的射频功率放大器保护电路,其特征在于,所述第三功率放大器包括第一电容、第一电感、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管;所述第一电容的一端接入射频信号,另一端与所述第五电阻的一端以及所述第六电阻的一端相连,所述第六电阻的另一端与所述第四PMOS管的栅极相连;所述第四PMOS管的源极接地,漏极通过所述第一电感接入所述电源电压并输出放大后的所述射频信号;所述第五电阻的另一端与所述第三PMOS管的源极相连,所述第三PMOS管的漏极通过所述第四电阻接入所述电源电压,并输出电压控制信号;所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极相连,所述第一PMOS管的漏极还通过所述第三电阻接入所述偏置信号,所述第一P...
【专利技术属性】
技术研发人员:盛怀茂,李啸麟,
申请(专利权)人:芯朴科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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