【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计领域，特别是涉及一种低漏电电源开关、控制方法及射频前端模组。
技术介绍
1、请参考图1，射频前端模块(rffe)一般需要三个独立的工作电压，一个是mipi接口和数字模块的工作电压vio，也即为低压逻辑控制模块(1.8vcontrol logic)的工作电压，一般为1.8v或1.2v，一个是模拟电路的工作电压vbat，也即为高压模拟电路(5v tolerantanalog circuit)的工作电压，一般为3～5v，另一个是射频功率放大器的工作电压vcc，工作电压一般也是3～5v。vbat一般是直接来自于移动设备的电池供电。通常用低压逻辑电路来控制高压模拟电路，并且高压模拟电路的供电直接来自于电池，需要确保射频前端在不工作状态下的漏电电流要极低，以保证有足够长的待机时间。另外，因为高压模拟电路由电池供电，即使在低压逻辑电路的电源掉电，即低压逻辑电路不工作的情况下，也需要保证高压模拟电路漏电电流极低。
2、射频前端中模拟电路部分一般用cmos工艺实现，cmos工艺中的高压器件一般为2.5v或3.3v的io器件。如果采用传统的电路结构，以图2所示的电平转换电路为例，不论是2.5v或者3.3v的io器件都不可以在工作电压为5v的情况下直接使用，这将导致器件耐压不够而被击穿。
3、在只有2.5v或3.3v的io器件作为高压器件，且在工作电压为5v的情况下，电路设计一般采用级联(cascode)结构，如图3(a)所示。vddh表示5v的工作电压。vbp和vbn作为保护管m2和m1的偏置电压，
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种低漏电电源开关、控制方法及射频前端模组，减小在射频前端处于睡眠模式时的漏电电流。
2、本专利技术提供一种低漏电电源开关，包括：逻辑控制模块、电平转换模块和开关模块；
3、所述电平转换模块用于为所述开关模块提供控制电压；
4、所述逻辑控制模块控制所述电平转换模块提供不同的控制电压，根据所述控制电压控制所述开关模块开启或关闭；
5、当所述开关模块开启时，所述开关模块输出供电电压。
6、进一步的，所述逻辑控制模块包括：第一反相器、第二反相器、第一nmos管和第二nmos管；
7、第一工作电压分别输入至所述第一反相器和所述第二反相器；
8、逻辑电平输入至所述第一反相器，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端相连；所述第二nmos管的栅极与所述第二反相器的输出端相连，所述第一nmos管的栅极与所述第一反相器的输出端相连，所述第一nmos管和所述第二nmos管的源极均接地，所述第一nmos管和所述第二nmos管的漏极均与所述电平转换模块相连。
9、进一步的，所述逻辑控制模块还包括：第三nmos管、第一pmos管、第一电阻和第二电阻；
10、所述第一pmos管的栅极与所述第二反相器的输出端相连，源极通过所述第一电阻接第一偏置电压；
11、所述第三nmos管的源极与所述第一反相器的输出端相连，栅极接第一工作电压，漏极与所述第一pmos管的漏极相连，所述第二电阻的一端接在所述第二nmos管的栅极与所述第一pmos管的栅极之间，另一端接地。
12、进一步的，所述电平转换模块包括：第四nmos管、第五nmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第五pmos管；
13、所述第二pmos管与所述第三pmos管的源极接第二工作电压，所述第二pmos管的栅极与所述第三pmos管的漏极相连，所述第三pmos管的栅极与所述第二pmos管的漏极相连，所述第二pmos管与所述第三pmos管的漏极还分别连接所述第四pmos管的源极与所述第五pmos管的源极，所述第四pmos管的漏极和所述第五pmos管的漏极分别连接所述第四nmos管的漏极和所述第五nmos管的漏极，所述第四nmos管的源极和所述第五nmos管的源极分别与所述第一nmos管和所述第二nmos管的漏极相连；所述第四pmos管、第五pmos管、第四nmos管和第五nmos管的栅极接第二偏置电压。
14、进一步的，所述开关模块包括：第六pmos管和第七pmos管；
15、所述第六pmos管的源极接所述第二工作电压，栅极与所述第三pmos管的漏极相连，漏极接所述第七pmos管的源极，所述第七pmos管的栅极接所述第二偏置电压，所述第七pmos管的漏极输出供电电压。
16、进一步的，所述供电电压等于第二工作电压，所述第二工作电压大于所述第二偏置电压，所述第二偏置电压大于所述第一工作电压。
17、进一步的，所有nmos管和所有pmos管皆为2.5v或3.3v。
18、进一步的，所述工作电压依次通过第三电阻和多个级联的nmos管后产生第二偏置电压，所述第二偏置电压通过第四电阻分压后产生第一偏置电压，所述第四电阻通过多个级联的nmos管后接地。
19、本专利技术还提供一种低漏电电源开关控制方法，采用上述的低漏电电源开关，所述方法包括：
20、当逻辑电平信号为高时，所述逻辑控制模块控制所述电平转换模块输出第一控制信号，所述第一控制信号控制所述开关模块开启，并输出供电电压；
21、当逻辑电平信号为低时，所述逻辑控制模块控制所述电平转换模块输出第一控制信号，所述第一控制信号控制所述开关模块关闭。
22、进一步的，本专利技术还提供一种射频前端模组，所述射频前端模组包括：低压逻辑控制模块、低漏电电源开关、高压模拟电路；
23、所述低压逻辑控制模块为所述低漏电电源开关提供逻辑电平，所述低漏电电源开关为所述高压模拟电路提供供电电压。
24、相比于现有技术，本专利技术至少具有以下技术效果：
25、本专利技术提供包括低漏电电源开关包括逻辑控制模块、电平转换模块和开关模块；电平转换模块用于为开关模块提供控制电压；逻辑控制模块控制电平转换模块提供不同的控制电压，根据控制电压控制开关模块开启或关闭；当开关模块开启时，开关模块输出供电电压，供电电压可直接作为其他模拟电路的电源输入端，解决了其他模拟电路自身的漏电问题，当射频前端休眠时，此低漏电电源开关关闭，减少了低漏电电源开关和其他模拟电路的漏电。
26、进一步的，本专利技术的逻辑控制模块内还包括由第一nmos管、第一pmos管、第一电阻和第二电阻构成的保护电路，在低压逻辑电路掉电的情况下，该电路依然保持极低的漏电电流。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低漏电电源开关，其特征在于，包括：逻辑控制模块、电平转换模块和开关模块；
2.如权利要求1所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述逻辑控制模块包括：第一反相器、第二反相器、第一NMOS管和第二NMOS管；
3.如权利要求2所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述逻辑控制模块还包括：第三NMOS管、第一PMOS管、第一电阻和第二电阻；
4.如权利要求3所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述电平转换模块包括：第四NMOS管、第五NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管；
5.如权利要求4所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述开关模块包括：第六PMOS管和第七PMOS管；
6.如权利要求5所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述供电电压等于第二工作电压，所述第二工作电压大于所述第二偏置电压，所述第二偏置电压大于所述第一工作电压。
7.如权利要求6所述的低漏电电源开关，其特征在于，所有NMOS管和所有PMOS管皆为2.5V或3.3V。
8.如权利要求6所述的低漏电电源开
9.一种低漏电电源开关控制方法，采用如权利要求1-8中任一项所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述方法包括：
10.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括：低压逻辑控制模块、低漏电电源开关、高压模拟电路；
...【技术特征摘要】
1.一种低漏电电源开关，其特征在于，包括：逻辑控制模块、电平转换模块和开关模块；
2.如权利要求1所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述逻辑控制模块包括：第一反相器、第二反相器、第一nmos管和第二nmos管；
3.如权利要求2所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述逻辑控制模块还包括：第三nmos管、第一pmos管、第一电阻和第二电阻；
4.如权利要求3所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述电平转换模块包括：第四nmos管、第五nmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第五pmos管；
5.如权利要求4所述的低漏电电源开关，其特征在于，所述开关模块包括：第六pmos管和第七pmos管；
【专利技术属性】
技术研发人员：盛怀茂，
申请(专利权)人：芯朴科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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