反光ＣＭＯＳ图像传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种图像传感器（１００），至少包括：ＣＭＯＳ型光电二极管（１１２）和晶体管（１１４），其制造于半导体层（１１０）中，所述半导体层（１１０）的厚度为大约１μｍ至１．５μｍ；电介质层（１１６），在所述电介质层（１１６）中制造电互连层（１２２ａ，１２２ｂ），其彼此电连接和／或与ＣＭＯＳ光电二极管和／或晶体管电连接，所述电介质层被布置为与半导体层的第一面抵靠，所述第一面与半导体层的第二面相对，由传感器从外部接收的光将通过半导体层的第二面进入；反光装置（１２２ｂ），布置在电介质层中，与光电二极管相对，并能够朝着光电二极管反射至少一部分由传感器接收的光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像传感器的领域，或涉及用CMOS技术制造的 "背面(backside)"型成像器，即，使得光经由与布置有互连层的 侧部相^j"的侧部进入这些传感器。本专利技术尤其适用于低成本图像传感器的制造，所述低成本图像 传感器例如用于移动电话或网络掘/f象才几中，并更通常地用于使用 CMOS图^f象传感器的任何类型的照相才几或4聂像才几中。
技术介绍
存在两种类型的用于电子记录图像的图像传感器-CCD传感器，即，将从光电二极管接收的电信号转移至放大 器和lt字專争4奂器的电荷转移器4牛(charge transfer device )，-CMOS传感器，包括放大器，该放大器在所需时刻使得由每 个光电二极管传送的电信号在通向数字转换器的电线上流动。这种由CCD或CMOS技术制造的传感器可以是"背面"型的 或"前面，，型的，对于"背面"型传感器，被捕获的光接着经由与 传感器电互连层所在的面相对的面进入，而对于"前面，，型传感器， 被捕获的光接着通过电互连之间的左侧自由区域，以到达光电二极 管的半导体。6"背面"型CMOS成像器主要由硅工艺制造，即，包括被制造 在一层硅中的CMOS光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器（１００，２００，３００，４００，５００），所述图像传感器至少包括：　－ＣＭＯＳ型光电二极管（１１２）和晶体管（１１４），其制造在包含至少一种半导体的层（１１０）中，所述层的厚度为大约１μｍ至１．５μｍ，　－包含至少一种电 介质的层（１１６），在所述层中制造电互连层（１２２ａ，１２２ｂ），所述电互连层彼此电连接和／或与所述ＣＭＯＳ光电二极管（１１２）和／或所述晶体管（１１４）电连接，所述电介质层（１１６）被布置为与半导体层（１１０）的第一面抵靠，所述第一面与所述半导体层（１１０）的第二面相对，由传感器（１００－５００）从外部接收的光将通过所述半导体层（１１０）的第二面进入，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：皮埃尔吉东，伊冯卡佐，
申请(专利权)人：法国原子能委员会，
类型：发明
国别省市：FR[法国]