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本发明涉及一种图像传感器（１００），至少包括：ＣＭＯＳ型光电二极管（１１２）和晶体管（１１４），其制造于半导体层（１１０）中，所述半导体层（１１０）的厚度为大约１μｍ至１．５μｍ；电介质层（１１６），在所述电介质层（１１６）中制造电互连层（...
该专利属于法国原子能委员会所有，仅供学习研究参考，未经过法国原子能委员会授权不得商用。

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