【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种，特别是指一种应用来回测试以 判别出具有写入干扰情形的不良内存的系统与方法。
技术介绍
内存一般测试方式为针对某一地址写入一内容，再读回该内存单元的内容 作比对。但是若为不良的内存，在写入过程中，内存单元之间会相互干扰，如 在写入某一地址时，另一个地址的内容也会被更改。现有针对内存写入干扰的测试方式，为写入一内存地址后，再把其它内存 地址中的内容读出作判断。但以现有的内存写入干扰测试，必须在每写入一个 内存地址后，需读取整个内存来进行内容比对，因此需要耗费很长的内存读取 比对的时间。因此现有内存的写入干扰测试尚需要改进。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种，主 要是应用来回写入并判读计忆体中存储区的储存内容的方式，以测试出具有写 入干扰情形的不良内存。本专利技术的主要目的，在于提出一种内存干扰测试的方法，自一启始地址的该存储区开始，依序写入一特定内容(pattem)至内存的存储区，并且读取下一 个地址的存储区，判读下一个地址的该存储区中的储存内容是否被写入数据， 以测试出具有写入干扰情形的不良内存的方法。本专利技术的另一目的，在于...
【技术保护点】
一种内存干扰测试的系统，其特征在于，至少包含： 一内存，具有多个存储区，每个该存储区具有一指定地址； 一递移单元，将待测试的每一个该存储区的该指定地址的指向，依序递移至下一个该存储区； 一写入单元，以该递移单元所指向的该指 定地址，依序写入一特定内容（ｐａｔｔｅｒｎ）至该指定地址的该存储区中； 一读出单元，自该指定地址的下一个地址的该存储区中读取储存内容；以及 一判别单元，判断该读出单元读出的储存内容是否为空值，并作出相对应的判断结果。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志伟，卢晓芬，
申请(专利权)人：英业达股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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