一种W波段多层射频板垂直过渡结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种W波段多层射频板垂直过渡结构，包括：外壳体，外壳体包括两层射频层以及设置在射频层之间的非射频层；外壳体内部开设有第一信号通道与第二信号通道，第一信号通道与第二信号通道呈同轴设置；沿着第一信号通道的两侧端面外沿的延伸方向，呈等距离间隔设置有多个信号孔。提供一种W波段多层射频板垂直过渡结构，在外壳体中设置第一信号通道与第二信号通道，实现同轴结构的信号孔，同轴内外导体之间填充高频低损耗塞孔材料，信号可以通过同轴结构的信号通道传输，而不用再走非射频层。由于非射频层作为走线夹层，因此非射频层在保证数字信号传输或供电要求的情况下可以选用成本更低的材料进行设置。可以选用成本更低的材料进行设置。可以选用成本更低的材料进行设置。

【技术实现步骤摘要】
一种W波段多层射频板垂直过渡结构


[0001]本技术涉及射频装置领域，具体涉及一种W波段多层射频板垂直过渡结构。

技术介绍

[0002]多层射频板信号从某层转接到另一层，一种是采用类同轴结构，中间是信号孔，周围用一圈地孔包围屏蔽，该结构需要信号穿过的每一层都采用低损耗正切的高频层压材料，否则介质损耗就会偏大(当频率越高，介质损耗占比越高)，中间非射频走线层用高频材料存在一定的浪费，尤其是垂直过渡需要穿过较多层非射频走线层。

技术实现思路

[0003]本技术目的在于提供一种W波段多层射频板垂直过渡结构，在外壳体多层板结构中同轴设置第一信号通道与第二信号通道，实现同轴结构的信号孔，增加对信号的屏蔽效果。因此信号可以通过同轴结构的信号通道进行传输，而不用再从非射频层穿过。由于非射频层作为射频通路以外的区域，因此非射频层在保证数字信号传输或供电要求的情况下可以选用成本更低的材料，由于频率越高介质损耗越大，塞孔材料改成低损耗材料之后，就可以将该结构运用在W波段。
[0004]本技术通过下述技术方案实现：
[0005]一种W波段多层射频板垂直过渡结构，包括：
[0006]外壳体，外壳体包括两层射频层以及设置在射频层之间的非射频层；外壳体内部开设有第一信号通道与第二信号通道，第一信号通道与第二信号通道呈同轴设置；沿着第一信号通道的两侧端面外沿的延伸方向，呈等距离间隔设置有多个信号孔。
[0007]作为一种可选方式，第一信号通道与第二信号通道的通道长度相等，其几何中心位于同一点。
[0008]作为一种可选方式，第一信号通道与第二信号通道从射频层经过非射频层到另一个射频层的方向延伸。
[0009]作为一种可选方式，在外壳体呈相对的两面设有第一微带线槽与第二微带线槽，第一微带线槽与第二微带线槽呈关联设置。
[0010]作为一种可选方式，第一微带线槽与第一信号通道的开口尺寸适配，第二微带线槽与任一信号通道的开口尺寸匹配。
[0011]作为一种可选方式，第一信号通道采用电镀铜制材料制成。
[0012]作为一种可选方式，第一信号通道的直径大于第二信号通道的直径，第一信号通道与第二信号通道之间形成容纳空间，容纳空间填充有高频低损耗塞孔材料。
[0013]作为一种可选方式，沿着第一微带线槽与第二微带线槽的延伸方向，开设有多个信号孔。
[0014]作为一种可选方式，非射频层走线材料采用FR4材料。
[0015]本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0016]本技术通过电镀同轴工艺对射频板进行重新设置，不再需要地孔进行包围屏蔽。仅通过信号孔的设置便能在达到信号转接效果的同时允许非射频层采用普通FR4材料，降低使用成本。
附图说明
[0017]此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：
[0018]图1为本技术实施例提供的射频板垂直过渡结构结构示意图；
[0019]图2为本技术实施例提供的射频板垂直过渡结构正视图；
[0020]图3为本技术实施例提供的射频板垂直过渡结构俯视图；
[0021]附图中标记及对应的零部件名称：
[0022]1‑
外壳体，21
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第一微带线槽，22
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第二微带线槽，3
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信号孔，41
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第一信号通道，42
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第二信号通道，51
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射频层，52
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非射频层。
具体实施方式
[0023]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。
[0024]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0026]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0027]此外，术语“平行”、“垂直”等并不表示要求部件绝对平行或垂直，而是可以稍微倾斜。如“平行”仅仅是指其方向相对“垂直”而言更加平行，并不是表示该结构一定要完全平行，而是可以稍微倾斜。
[0028]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]实施例
[0030]多层射频板信号从某层转接到另一层，一种是采用类同轴结构，中间是信号孔，周围用一圈地孔包围屏蔽，该结构需要信号穿过的每一层都采用低损耗正切的高频层压材料，否则介质损耗就会偏大(当频率越高，介质损耗占比越高)，中间非射频走线层用高频材料存在一定的浪费，尤其是垂直过渡需要穿过较多层非射频走线层。因此，本实施例提供一种W波段多层射频板垂直过渡结构，在外壳体多层射频板中同轴设置第一信号通道与第二信号通道，实现同轴结构的信号孔，增加对信号的屏蔽效果。因此信号可以通过同轴结构的信号通道进行穿过，而不用再走非射频层。由于非射频层作为走线夹层，因此非射频层在保证数字信号传输或供电要求的情况下可以选用成本更低的材料进行设置。本实施例是这样实现的：
[0031]请参阅图1
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图3，本实施例提供了一种W波段多层射频板垂直过渡结构，包括：外壳体1，外壳体1包括两层射频层51以及设置在射频层51之间的非射频层52；外壳体1内部开设有第一信号通道41与第二信号通道42，第一信号通道41与第二信号通道42呈同轴设置；沿着第一信号通道41的两侧端面外沿的延伸方向，呈等距离间隔设置有多个信号孔3。所述外壳体1可以采用多层板压合材料(芯板、半固化片)压合而成，第一信号通道41是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种W波段多层射频板垂直过渡结构，其特征在于，包括：外壳体(1)，所述外壳体(1)包括两层射频层(51)以及设置在所述射频层(51)之间的非射频层(52)；所述外壳体(1)内部开设有第一信号通道(41)与第二信号通道(42)，所述第一信号通道(41)与第二信号通道(42)呈同轴设置；沿着所述第一信号通道(41)的两侧端面外沿的延伸方向，呈等距离间隔设置有多个信号孔(3)。2.根据权利要求1所述的一种W波段多层射频板垂直过渡结构，其特征在于，所述第一信号通道(41)与第二信号通道(42)的通道长度相等，其几何中心位于同一点。3.根据权利要求1所述的一种W波段多层射频板垂直过渡结构，其特征在于，所述第一信号通道(41)与第二信号通道(42)从所述射频层(51)经过所述非射频层(52)到另一个所述射频层(51)的方向延伸。4.根据权利要求1所述的一种W波段多层射频板垂直过渡结构，其特征在于，在所述外壳体(1)呈相对的两面设有第一微带线槽(21)与第二微带线槽(22)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：管玉静，李灿，张志伟，
申请(专利权)人：北京天地一格科技有限公司，
类型：新型
国别省市：