带有镀膜结构的半导体制造技术

本发明专利技术涉及半导体制备技术领域，公开了一种带有镀膜结构的半导体，其包括半导体本体、Si层和DLC层，所述Si设于所述半导体本体和所述DLC层之间；其中，所述DLC层0度角沉积形成，沉积DLC层的参数包括：Ar流量为130

【技术实现步骤摘要】
带有镀膜结构的半导体


[0001]本专利技术涉及半导体制备领域，特别是涉及一种带有镀膜结构的半导体。

技术介绍

[0002]目前，类金刚石薄膜(DLC)在半导体领域中应用的非常广泛，类金刚石薄膜具有高硬度、低摩擦因数、耐磨损的特性，很适合作为耐磨涂层使用。传统上，往往将硅层和类金刚石薄膜层配合使用，即半导体基体和DLC之间，镀一层硅，其中，硅层具有粘合的特点。因而，如何更提高半导体镀膜的耐磨性能是要解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种带有镀膜结构的半导体，其能够提高半导体镀膜的耐磨性能。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种带有镀膜结构的半导体，包括半导体本体、Si层和DLC层，所述Si设于所述半导体本体和所述DLC层之间；其中，所述DLC层0度角沉积形成，沉积DLC层的参数包括：Ar流量为130
‑
170sccm，CH4流量为70
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90sccm，离子源功率为2.0～3.0kW。
[0005]作为优选方案，沉积DL本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有镀膜结构的半导体，其特征在于，包括半导体本体、Si层和DLC层，所述Si设于所述半导体本体和所述DLC层之间；其中，所述DLC层0度角沉积形成，沉积DLC层的参数包括：Ar流量为130
‑
170sccm，CH4流量为70
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90sccm，离子源功率为2.0～3.0kW。2.如权利要求1所述的带有镀膜结构的半导体，其特征在于，沉积DLC层的参数还包括：真空度3
×
10
‑1Pa，工件负偏压为70
‑
90V，沉积时间为8
‑
12min。3.如权利要求2所述的带有镀膜结构的半导体，其特征在于，Ar流量为150sccm，CH4流量为80sccm，工件负偏压为80V，沉积时间为10min。4.如权利要求1所述的带有镀膜结构的半导体，其特征在于，所述Si层的形成步骤包括：以硅靶为靶材，沉积速率为1.0～1.5埃/秒，沉积Si底层参数包括：Ar流量为120
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【专利技术属性】
技术研发人员：王汉德，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：