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本发明涉及半导体制备技术领域，公开了一种带有镀膜结构的半导体，其包括半导体本体、Si层和DLC层，所述Si设于所述半导体本体和所述DLC层之间；其中，所述DLC层0度角沉积形成，沉积DLC层的参数包括：Ar流量为130
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