半导体器件及其制备方法技术

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括步骤：提供一器件基底，器件基底上设置有金属焊盘；于器件基底上形成绝缘层，并对绝缘层进行图形化以在绝缘层中形成通孔，通孔显露金属焊盘；于绝缘层和金属焊盘上沉积隔离层；去除金属焊盘上的隔离层的第一部分厚度，保留隔离层的第二部分厚度以覆盖金属焊盘。本申请一方面可实现金属焊盘与外部杂质(如水汽或金属粒子等)的隔离，避免形成腐蚀缺陷或电化学迁移现象，提高产品良率；另一方面，本申请的隔离层剩余厚度较小，易于通过溶液腐蚀去除，可在封装前使用腐蚀溶液将其去除以满足封装需求，基本不会对器件性能产生影响。基本不会对器件性能产生影响。基本不会对器件性能产生影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法


[0001]本申请属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体器件在制备过程中，通常需要对器件表面覆盖绝缘层，并且需要在绝缘层中刻蚀出通孔以为器件的电连接提供连接区域。然而，在上述刻蚀过程中通常会产生难以抽离反应腔的含氟聚合物，这些含氟聚合物在刻蚀后残留在晶圆表面，含氟聚合物与水汽接触后形成电解液，与器件表面的金属反应形成腐蚀缺陷或电化学迁移现象，进而会造成器件失效，影响器件电性和寿命。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本申请提供一种半导体器件的制备方法，所述制备方法包括步骤：提供一器件基底，所述器件基底上设置有金属焊盘；于所述器件基底上形成绝缘层，并对所述绝缘层进行图形化以在所述绝缘层中形成通孔，所述通孔显露所述金属焊盘；于所述绝缘层和所述金属焊盘上沉积隔离层；去除所述金属焊盘上的所述隔离层的第一部分厚度，保留所述隔离层的第二部分厚度以覆盖所述金属焊盘。
[0004]可选地，所述隔离层的第二部分厚度设置为隔绝杂质的最小厚度，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：提供一器件基底(20)，所述器件基底(20)上设置有金属焊盘(21)；于所述器件基底(20)及所述金属焊盘(21)上形成绝缘层(22)，并对所述绝缘层(22)进行图形化以在所述绝缘层(22)中形成通孔(24)，所述通孔(24)显露所述金属焊盘(21)；于所述绝缘层(22)和所述金属焊盘(21)上沉积隔离层(25)；去除所述金属焊盘(21)上的所述隔离层(25)的第一部分厚度，保留所述隔离层(25)的第二部分厚度以覆盖所述金属焊盘(21)。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述隔离层(25)的第二部分厚度设置为隔绝杂质(27)的最小厚度，所述杂质(27)包括水汽和金属中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘层(22)包括二氧化硅层，通过含氟气体对所述二氧化硅层进行图形化以在所述绝缘层(22)中形成所述通孔(24)。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述金属焊盘(21)包括铝焊盘(211)、设置于所述铝焊盘(211)上的氮化钛层(212)以及设置于所述氮化钛层(212)上的氮氧化硅层(213)。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述绝缘层(22)进行图形化以在所述绝缘层(22)中形成通孔(24)后，还包括进一步去除所述铝焊盘(211)上的所述氮氧化硅层(213)和所述氮化钛层(212)的步骤。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡晓亮，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：