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本申请提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括步骤：提供一器件基底，器件基底上设置有金属焊盘；于器件基底上形成绝缘层，并对绝缘层进行图形化以在绝缘层中形成通孔，通孔显露金属焊盘；于绝缘层和金属焊盘上沉积隔离层；去除金属焊盘上的隔离层的第...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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