聚酰亚胺系膜制造技术

本发明专利技术涉及聚酰亚胺系膜。一种聚酰亚胺系膜，其包含含有来自四羧酸酐的结构单元(A)和来自二胺的结构单元(B)的聚酰亚胺系树脂，该聚酰亚胺系树脂的280℃时的储能弹性模量小于3

【技术实现步骤摘要】
聚酰亚胺系膜


[0001]涉及可在能应对高频带用的印刷电路基板、天线基板的基板材料等中利用的聚酰亚胺系膜。

技术介绍

[0002]柔性印刷电路基板(以下，有时记载为FPC)薄且轻量，具有挠性，因此能实现立体性的、高密度的安装，被用于移动电话、硬盘等许多电子设备中，有助于其小型化、轻量化。以往，在FPC中，广泛使用了耐热性、机械物性、电绝缘性优异的聚酰亚胺树脂。
[0003]近年来，被称为5G的第五代移动通信系统正在彻底地普及。在以往所使用的聚酰亚胺材料中，在对用于5G通信的高频信号进行传输时，传输损耗大，产生电信号的损耗、信号的延迟时间变长等不良情况。因此，以传输损耗的降低为目的而研究了介质损耗角正切(以下，有时记载为Df)及相对介电常数(以下，有时记载为Dk)低的聚酰亚胺膜。
[0004]例如，在专利文献1中，公开了使包含含有酯的四羧酸酐和联苯四甲酸酐的四羧酸酐成分与含有75摩尔％以上的对苯二胺的二胺成分进行反应而得到的聚酰亚胺树脂前体、及使前述聚酰亚胺树脂前体固化而得到的聚酰亚胺树脂。另外，在专利文献2中，公开了一种聚酰亚胺膜，其具有包含非热塑性聚酰亚胺的非热塑性聚酰亚胺层和包含热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺层，前述非热塑性聚酰亚胺包含四羧酸残基、及由特定的二胺化合物衍生的二胺残基，所述四羧酸残基包含由3,3
’
,4,4
’‑
联苯四甲酸二酐(BPDA)衍生的四羧酸残基(BPDA残基)及由1,4
‑
亚苯基双(偏苯三酸单酯)二酐(TAHQ)衍生的四羧酸残基(TAHQ残基)中的至少1种等。
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018
‑
150544号公报
[0007]专利文献2：国际公开第2018/061727号

技术实现思路

[0008]关于用于FPC的覆金属层叠板，作为覆铜层叠板(以下，有时记载为CCL)，广泛使用了在单层或多层的聚酰亚胺系树脂的一面或两面具有铜箔层的层叠体。CCL有时通过在铜箔上将聚酰亚胺系树脂前体溶液流延制膜、并对聚酰亚胺系树脂前体的涂膜进行热酰亚胺化来制造，前述热酰亚胺化通常通过于例如360℃左右的高温进行加热来进行。
[0009]在高频电流的传输中，被称为集肤效应的、电流在导体的表面附近密集流通的现象变得显著。因此，将CCL等覆金属层叠板用于高频电路的情况下，金属箔表面的粗糙、氧化容易引起传输损耗的增加。例如，对于铜箔而言，若于350℃以上的高温进行加热，则存在产生铜箔表面的粗糙、结晶粒径的增大、氧化等而界面容易变粗糙的倾向。因此，在热酰亚胺化的工序中铜箔等金属箔与聚酰亚胺系树脂一起暴露于高温将会导致传输损耗降低。
[0010]但是，在以往的聚酰亚胺树脂、聚酰亚胺膜的制造中，以低于350℃的低温实施热酰亚胺化的情况下，无法充分降低Df及Dk。若为了充分降低聚酰亚胺树脂、聚酰亚胺膜的Df
及Dk而于350℃以上的高温进行热酰亚胺化来制作CCL，则如上述的那样产生铜箔表面的粗糙等，因此，难以同时实现对铜箔表面的粗糙和氧化的抑制、及聚酰亚胺层的Df的降低而形成在用于高频电路时传输损耗低的CCL。
[0011]因此，本专利技术的目的在于提供能抑制铜箔等金属箔表面的粗糙而形成高频带中的传输损耗低的CCL等覆金属层叠板的、Df低的聚酰亚胺系膜。
[0012]本申请的专利技术人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果完成了本专利技术。即，本专利技术提供以下的优选方式。
[0013]〔1〕聚酰亚胺系膜，其包含含有来自四羧酸酐的结构单元(A)和来自二胺的结构单元(B)的聚酰亚胺系树脂，该聚酰亚胺系树脂的280℃时的储能弹性模量小于3
×
108Pa，并且玻璃化转变温度为200～290℃。
[0014]〔2〕如〔1〕所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A)包含来自含有酯键的四羧酸酐的结构单元(A1)。
[0015]〔3〕如〔2〕所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A)还包含来自含有联苯骨架的四羧酸酐的结构单元(A2)。
[0016]〔4〕如〔3〕所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A)满足式(X)的关系。
[0017](除前述结构单元(A1)及前述结构单元(A2)以外的来自四羧酸酐的结构单元(A3)的含量)/(前述结构单元(A1)及前述结构单元(A2)的总量)<1.1(X)
[0018]〔5〕如〔2〕～〔4〕中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A1)为来自式(a1)表示的四羧酸酐的结构单元(a1)。
[0019][0020][式(a1)中，Z表示2价有机基团，
[0021]R
a1
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，
[0022]s彼此独立地表示0～3的整数][0023]〔6〕如〔3〕～〔5〕中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(A2)为来自式(a2)表示的四羧酸酐的结构单元(a2)。
[0024][0025][式(a2)中，R
a2
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，
[0026]t彼此独立地表示0～3的整数][0027]〔7〕如〔1〕～〔6〕中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(B)包含来自含有联苯骨架的二胺的结构单元(B1)。
[0028]〔8〕如〔7〕所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(B1)为来自式(b1)表示的二胺的结构单元(b1)。
[0029][0030][式(b1)中，R
b1
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，
[0031]p表示0～4的整数][0032]〔9〕如〔7〕或〔8〕所述的聚酰亚胺系膜，其中，相对于结构单元(B)的总量而言，前述结构单元(B1)的含量大于30摩尔％。
[0033]〔10〕如〔1〕～〔9〕中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，前述结构单元(B)包含来自式(b2)表示的二胺的结构单元(b2)。
[0034][0035][式(b2)中，R
b2
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，
[0036]W彼此独立地表示
‑
O
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
CH2‑
CH2‑
、
‑
CH(CH3)
‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C(CF3)2‑
、
‑
COO
‑
、
‑
OOC
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
S
‑
、
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.聚酰亚胺系膜，其包含含有来自四羧酸酐的结构单元(A)和来自二胺的结构单元(B)的聚酰亚胺系树脂，该聚酰亚胺系树脂的280℃时的储能弹性模量小于3
×
108Pa，并且玻璃化转变温度为200～290℃。2.如权利要求1所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A)包含来自含有酯键的四羧酸酐的结构单元(A1)。3.如权利要求2所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A)还包含来自含有联苯骨架的四羧酸酐的结构单元(A2)。4.如权利要求3所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A)满足式(X)的关系，(除所述结构单元(A1)及所述结构单元(A2)以外的来自四羧酸酐的结构单元(A3)的含量)/(所述结构单元(A1)及所述结构单元(A2)的总量)<1.1(X)。5.如权利要求2～4中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A1)为来自式(a1)表示的四羧酸酐的结构单元(a1)，式(a1)中，Z表示2价有机基团，R
a1
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，s彼此独立地表示0～3的整数。6.如权利要求3～5中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(A2)为来自式(a2)表示的四羧酸酐的结构单元(a2)，式(a2)中，R
a2
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，t彼此独立地表示0～3的整数。7.如权利要求1～6中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(B)包含来自含有联苯骨架的二胺的结构单元(B1)。8.如权利要求7所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(B1)为来自式(b1)表示的二胺的结构单元(b1)，
式(b1)中，R
b1
彼此独立地表示卤素原子、或者可具有卤素原子的烷基、烷氧基、芳基或芳基氧基，p表示0～4的整数。9.如权利要求7或8所述的聚酰亚胺系膜，其中，相对于结构单元(B)的总量而言，所述结构单元(B1)的含量大于30摩尔％。10.如权利要求1～9中任一项所述的聚酰亚胺系膜，其中，所述结构单元(B)包含来自式(b2)表...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚田洋行，小沼勇辅，高冈裕太，池内淳一，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：