具有降低的界面应变的氮化硅膜制造技术

在一些实施例中，一种方法包括在半导体晶片的顶面上沉积第一氮化硅层，并在第一氮化硅层中形成一个或更多个第一间隙。一个或更多个第一间隙可以减轻在第一氮化硅层中形成的应力。在第一氮化硅层上沉积第一填充材料，并将第一氮化硅层平坦化。在第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层，并且在第二氮化硅层中形成一个或更多个第二间隙。一个或更多个第二间隙可以减轻在第二氮化硅层中形成的应力。在第二氮化硅层上沉积第二填充材料，并将第二氮化硅层平坦化。化。化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有降低的界面应变的氮化硅膜
[0001]其他申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月31日提交的题为“薄膜氮化硅中的应变消除”的63/059,742号美国临时专利申请的优先权和于2021年7月15日提交的题为“具有降低的界面应变的氮化硅膜”的17/377,135号美国非临时申请的优先权，在此通过引用将其全部并入以用于所有目的。

技术介绍

[0003]目前存在可应用于半导体晶片的各种各样的膜。这些膜中的一些具有与晶片不同的热膨胀系数(CTE)，并且可以分层或断裂，特别是当应用于大晶片(例如，300mm)时。另外，某些原位沉积的膜由于其沉积方法而固有地具有应力，这可进一步加剧膜与晶片之间的粘附问题。需要沉积具有与晶片不匹配的CTE的膜的新方法。

技术实现思路

[0004]本公开的一些实施例涉及在晶片上沉积膜的方法，其中膜具有与晶片不同的CTE。在一些实施例中，一种方法包括提供硅晶片并且在所述硅晶片上沉积氮化硅层的第一部分。沿着一个或更多个划片道(dicing lane)选择性地去除氮化硅层的第一部分的第一区域，以在氮化硅层的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：提供硅晶片；在所述硅晶片上沉积氮化硅层的第一部分；沿着一个或更多个划片道选择性地去除所述氮化硅层的所述第一部分的第一区域，以在所述氮化硅层的所述第一部分的区域之间限定一个或更多个第一间隙；在所述氮化硅层的所述第一部分上沉积第一填充材料并且将所述第一填充材料沉积到所述一个或更多个第一间隙中；对所述氮化硅层的所述第一部分的顶面进行平坦化，使得所述一个或更多个第一间隙内的所述第一填充材料与所述氮化硅层的所述第一部分的所述顶面共面；沉积所述氮化硅层的第二部分，使得其延伸跨越所述氮化硅层的所述第一部分并跨越设置在所述一个或更多个第一间隙内的所述第一填充材料；沿着所述划片道中的所述一个或更多个划片道选择性地去除所述氮化硅层的所述第二部分的第二区域，以在所述氮化硅层的所述第二部分的区域之间限定一个或更多个第二间隙；在所述氮化硅层的所述第二部分上沉积第二填充材料并且将所述第二填充材料沉积到所述一个或更多个第二间隙中；将所述氮化硅层的所述第二部分的顶面平坦化，使得所述一个或更多个第二间隙内的所述第二填充材料与所述氮化硅层的所述第二部分的所述顶面共面；在所述氮化硅层的所述第二部分的所述顶面上形成一个或更多个附加层；和在所述一个或更多个附加层上形成一个或更多个光学器件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个划片道包括一组划片道，沿着所述一组划片道限定所述一个或更多个第一间隙和所述一个或更多个第二间隙。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述组包括所述一个或更多个划片道中的每一者之间的重复间隔。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个划片道包括没有间隙的一组划片道。5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用划片机或蚀刻工艺选择性地去除一个或更多个所述第一区域和一个或更多个所述第二区域。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅晶片包括绝缘体上硅系列层。7.一种方法，包括：在半导体晶片的顶面上沉积第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层中形成一个或更多个第一间隙；在所述第一氮化硅层上沉积第一填充材料；将所述第一氮化硅层平坦化；在所述第一氮化硅层上沉积第...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁勇，安，
申请(专利权)人：普赛昆腾公司，
类型：发明
国别省市：