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在一些实施例中，一种方法包括在半导体晶片的顶面上沉积第一氮化硅层，并在第一氮化硅层中形成一个或更多个第一间隙。一个或更多个第一间隙可以减轻在第一氮化硅层中形成的应力。在第一氮化硅层上沉积第一填充材料，并将第一氮化硅层平坦化。在第一氮化硅层上...
该专利属于普赛昆腾公司所有，仅供学习研究参考，未经过普赛昆腾公司授权不得商用。

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