基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法技术

本发明专利技术公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤：先制备PDMS/载玻片结构；再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面，剪掉多余的PDMS薄膜；接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底；最后通过控制转移平台的速度，在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡，得到均匀、干净的高质量二维材料，且制备过程对二维材料无损伤，高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合，可有效拓宽二维材料的应用前景。用前景。用前景。

【技术实现步骤摘要】
基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法


[0001]本专利技术涉及二维材料转移
，具体涉及一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法。

技术介绍

[0002]二维材料，是指电子仅可在两个维度的纳米尺度（1
‑
100 nm）上自由运动的材料，如纳米薄膜、超晶格、量子阱等，目前常用的二维材料有石墨烯、二硫化钼，二硫化钨和氮化硼等。
[0003]自2004年首次发现石墨烯以后，二维材料便因其独特的物理和化学性质而得到广泛关注，在生物检测和微电子等领域均表现出非常广泛地应用前景。相较于硅基材料，二维材料具有原子级厚度和表面无悬挂键的性质，几乎没有短沟道效应，因而有望用于下一代集成电路中。由于二维材料主要通过范德瓦尔斯力与目标衬底结合，所以从理论上来说它可以结合到任意衬底上，这就极大地拓展了二维材料的使用场景。但是，大多数二维材料都是生长在Cu、Ni、Pt、Au、Si、SiO2等衬底材料上的，为了实现二维材料的表征、应用以及器件制备，常常需要将二维材料从初始衬底材料转移到石英、硅片、PET等各种目标基体上，为了能进行有效转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）将PDMS薄膜贴合在载玻片上得到PDMS/载玻片结构；2）利用机械剥离的方法将待转移的二维材料转移至PDMS薄膜上，形成载玻片/PDMS/二维材料结构，以待转移的二维材料为中心剪掉多余的PDMS薄膜；3）制备印章，通过纳米压印技术将印章上的纳米阵列结构转移到衬底材料上的光刻胶涂覆层上；4）对涂覆有光刻胶的衬底材料进行等离子刻蚀处理得到具有纳米微腔结构的目标衬底；5）将带有材料的载玻片固定于转移台的基片卡槽内，目标衬底置于转移台的样品座上；6）通过控制转移平台的贴合、分离速率，使得二维材料与PDMS分离后贴合在目标衬底表面。2.如权利要求1所述的基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，其特征在于，步骤2）中所述二维材料为石墨烯、氮化硼或二硫化钼。3.如权利要求1所述的基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，其特征在于，在将二维材料转移至PDMS薄膜上之...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵慧娟，罗冰，高丽，王嘉璇，马敬轩，郭笑涵，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：