层叠电容器阵列制造技术

层叠电容器阵列中，由于并联连接有静电容量部的内部电极的端 子导体经由ESR控制部的内部电极而串联连接于外部电极，因而能够 实现高ESR。并且，层叠电容器阵列中，通过使内部电极延伸至电容 器元件部的边界线侧，从而在从外部施加有电压的情况下，在包括电 容器元件部的边界线附近的层叠体的整体上产生电致伸缩。所以，能 够避免因电致伸缩而引起的应力集中，并抑制缝隙等的发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及层叠电容器阵列。
技术介绍
现有的层叠电容器阵列，例如有日本特开第2000-331879号公报中 记载的层叠电容器阵列。该现有的层叠电容器阵列由电介质层和内部 电极交互层叠地构成。这样的层叠电容器阵列，通过在作为电介质层 的陶瓷坯料上涂布作为内部电极的导电膏并将其区分为多个区域而形 成。
技术实现思路
但是，在一般的层叠电容器阵列中，全部的内部电极经由引出导 体并联连接于对应的外部电极。在这样的构成中，将产生难以充分地 得到层叠电容器阵列的等效串联电阻(Equivalent Series Resistance:以 下记为"ESR")的问题。如果为了寻求层叠电容器阵列的大容量化，增多电介质层和内部 电极的层叠数，则该问题变得更加显著。因此，在层叠电容器阵列中， 寻求不改变电介质层和内部电极的层叠数就能够提高ESR的技术的开 发。另外，在上述的层叠电容器阵列中，如果从外部施加电压，则在 内部电极重合的部分，局部地发生电致伸縮。因此，在电容器元件部 之间的未形成有内部电极的部分上，因电致伸縮而引起的应力有可能 集中，产生缝隙等。本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供一种能 够缓和因电致伸縮而引起的应力集中且实现高ESR的层叠电容器阵 列。为了解决上述问题，本专利技术涉及的层叠电容器阵列的特征在于，具备层叠有多层电介质层的层叠体、在层叠体内形成为多层的内部 电极、以及形成在层叠体的侧面上且相互电绝缘的多个端子导体和多 个外部电极，所述层叠电容器阵列由多个电容器元件部排列而成，该 电容器元件部通过使内部电极夹着电介质层并相对而构成。电容器元 件部具有连接于第1极性的第1内部电极和连接于第2极性的第2 内部电极夹着至少一层电介质层并相对的ESR控制部、以及连接于第1极性的第3内部电极和连接于第2极性的第4内部电极夹着至少-层 电介质层并相对的静电容量部，在ESR控制部中，第l内部电极经由 引出导体而连接于第1端子导体和第1外部电极，第2内部电极经由 引出导体而连接于第2端子导体和第2外部电极，在静电容量部中， 第4内部电极经由引出导体而仅连接于第2端子导体，第3内部电极 经由引出导体而仅连接于第1端子导体，与邻接的电容器元件部的静 电容量部的第4内部电极成为同一层，并且，延伸至电容器元件部之 间的规定的边界线。该层叠电容器阵列中，在静电容量部中，内部电极仅连接于端子 导体，在ESR控制部中，内部电极分别连接于端子导体和外部电极。 依照这样的构成，由于并联连接有内部电极的端子导体串联连接于外 部电极，因而，与像现有那样将内部电极并联连接于外部电极的情况 相比，能够实现高ESR。并且，在该层叠电容器阵列中，在电容器元 件部之间的规定的边界线上，同极性的内部电极排列。因此，在从外 部施加有电压的情况下，在包括电容器元件部之间的边界线附近的层 叠体的整体上产生电致伸缩。所以，能够避免因电致伸縮而引起的应 力集中，并抑制缝隙等的发生。而且，即使同极性的内部电极接近， 但由于该接近部分无助于静电容量，因而也抑制了层叠电容器阵列的 静电容量的变动。另外，在ESR控制部中，优选第l内部电极，与邻接的电容器元 件部的ESR控制部的第2内部电极成为同一层，并且，延伸至电容器 元件部之间的边界线。通过这样的构成，寻求了各电容器元件部的层 叠数的减少。并且，通过在ESR控制部中使第1内部电极延伸至电容 器元件部之间的边界线，从而能够进一步避免因电致伸縮而引起的应 力集中。优选，ESR控制部的内部电极、以及从电介质层的层叠方向看时与ESR控制部的内部电极相邻的静电容量部的内部电极所连接的极性相互不同。在该情况下，能够进一步充分地确保层叠电容器阵列的静 电容量。阴招本专利技术涉及的层叠电容器阵列，能够缓和因电致伸縮而引起的应力集中，并实现高ESR。 附图说明图1是本专利技术涉及的层叠电容器阵列的一个实施方式的立体示意图。图2是图1所示的层叠电容器阵列的层构成的示意图。 图3是沿图1中的III-III线的截面图。 图4是ESR控制部的复合层的示意图。 图5是静电容量部的复合层的示意图。 图6是第1变形例中的ESR控制部的复合层的示意图。 图7是第1变形例中的静电容量部的复合层的示意图。 图8是第2变形例中的ESR控制部的复合层的示意图。 图9是第2变形例中的静电容量部的复合层的示意图。 图10是第3变形例中的ESR控制部的复合层的示意图。 图11是第3变形例中的静电容量部的复合层的示意图。具体实施例方式以下，参照附图，详细地说明本专利技术涉及的层叠电容器阵列的优 选的实施方式。图1是本专利技术涉及的层叠电容器阵列的一个实施方式的立体示意 图。另外，图2是图l所示的层叠电容器阵列的层构成的示意图，图3是沿图i中的ni-ni线的截面图。如图1 图3所示，层叠电容器阵列1具备层叠体2、形成于层叠 体的侧面上的外部电极3 (3A 3D)以及端子导体4 (4A 4D)。如图2所示，层叠体2由通过在电介质层6之上形成有不同的图 形的内部电极7而构成的多个复合层5、以及以夹着复合层5的方式层叠且作为保护层而起作用的电介质层6、 6构成为大致长方体形状。电介质层6由含有电介质陶瓷的陶瓷坯料片的烧结体构成，内部电极7由导电膏的烧结体构成。该层叠体2中，通过以多层的内部电极7夹着电介质层6相对的 方式层叠复合层5，从而沿着外部电极3和端子导体4的排列方向，形 成有一对电容器元件部8 (8A、 8B)(参照图3)。而且，在实际的 层叠电容器阵列l中， 一体化至电介质层6、 6之间的边界无法目视辨 认的程度。外部电极3和端子导体4，通过烧结含有导电性金属粉末和玻璃粉 的导电膏而形成。外部电极3在层叠电容器阵列1的安装时，为连接 于规定的极性的电极。并且，端子导体4是将电容器元件部8中的属 于后述的静电容量部12的内部电极7彼此并联地连接的导体，不直接 连接于安装基板，为所谓的NC (非接触)导体。外部电极3和端子导体4分别设在沿层叠体2上的沿着复合层5 的层叠方向的两个侧面2a、 2b上。外部电极3和端子导体4在侧面2a、 2b上沿着上述的层叠方向延伸为带状，并且，具有在层叠体2的层叠 方向的端面上突出的垫片部分。在一个侧面2a上，从图1中的左侧到右侧，排列有连接于+极性 (第1极性)的外部电极(第1外部电极)3A、作为NC的端子导体 (第1端子导体)4A、作为NC的端子导体(第2端子导体)4C、以 及连接于-极性(第2极性)的外部电极(第2外部电极)3C。另外，在另一个侧面2b上，从图l中的左侧到右侧，排列有连接 于-极性的外部电极(第2外部电极)3B、作为NC的端子导体(第2 端子导体)4B、作为NC的端子导体(第1端子导体)4D、以及连接 于+极性的外部电极(第l外部电极)3D。外部电极3A 3D和端子导 体4A 4D成为隔幵规定的间隔且分离的状态，相互电绝缘。接着，对电容器元件部8进行说明。如图2和图3所示，电容器元件部8由控制层叠电容器阵列1的 ESR的ESR控制部11和主要有助于层叠电容器阵列1的静电容量的 静电容量部12构成。ESR控制部ll，以从复合层5的层叠方向看时，夹着静电容量部12的方式配置。如图4所示，ESR控制部ll，通过将内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠电容器阵列，其特征在于，　具备：　层叠有多层电介质层的层叠体、　在所述层叠体内形成为多层的内部电极、以及　形成在所述层叠体的侧面上且相互电绝缘的多个端子导体和多个外部电极，　所述层叠电容器阵列由多个电容器元件部排列而成，所述电容器元件部通过使所述内部电极夹着电介质层并相对而构成，　所述电容器元件部具有：　连接于第１极性的第１内部电极和连接于第２极性的第２内部电极夹着至少一层所述电介质层并相对的ＥＳＲ控制部、以及　连接于所述第１极性的第３内部电极和连接于所述第２极性的第４内部电极夹着至少一层所述电介质层并相对的静电容量部，　在所述ＥＳＲ控制部中，　所述第１内部电极经由引出导体而连接于第１端子导体和第１外部电极，　所述第２内部电极经由引出导体而连接于第２端子导体和第２外部电极，　在所述静电容量部中，　所述第４内部电极经由引出导体而仅连接于所述第２端子导体，　所述第３内部电极经由引出导体而仅连接于所述第１端子导体，　与邻接的电容器元件部的静电容量部的第４内部电极成为同一层，并且，延伸至所述电容器元件部之间的规定的边界线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：青木崇，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP