一种高光效LED外延片、制备方法及LED芯片技术

本发明专利技术提供一种高光效LED外延片、制备方法及LED芯片，外延片包括衬底及在衬底上依次沉积的缓冲层、复合三维成核层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层及P型接触层，复合三维成核层包括依次沉积的Mg量子点成核层、Mg

【技术实现步骤摘要】
一种高光效LED外延片、制备方法及LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种高光效LED外延片、制备方法及LED芯片。

技术介绍

[0002]以GaN为基本材料的III族氮化物（包括AlN、GaN、InN及其合金）是最重要的宽带隙半导体材料体系之一，它们特有的带隙范围，优良的光、电学性质和优异的材料机械性质使其在光学器件、电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域有着广泛的应用前景。
[0003]获取高质量的高Al组份的AlGaN材料是制作AlGaN基深紫外LED器件的最为重要的基础工作之一。相比于蓝宝石衬底上的GaN薄膜的生长，高质量的AlGaN薄膜的生长难度更大，AlGaN薄膜中往往在生长过程中存在有大量的缺陷。
[0004]其一是AlGaN与蓝宝石间的晶格失配要比GaN与蓝宝石间的失配大，失配产生的应力将会通过产生位错来释放，最终导致大量位错的出现，其二是在AlGaN生长过程中，Al原子表面的黏附系数远大于Ga原子，故其在表面的移动性就比较差，生长中很难到达最合适的格点位置，而是就近成核生长，因此在成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高光效LED外延片，其特征在于，包括衬底及在所述衬底上依次沉积的缓冲层、复合三维成核层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层及P型接触层，所述复合三维成核层包括依次沉积于所述缓冲层上的Mg量子点成核层、Mg
x
Al1‑
x
N包覆成核层、AlN三维成核层及Al
y
Ga1‑
y
N三维成核层。2.根据权利要求1所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述Mg量子点成核层包括若干个间隔均匀分布的Mg量子点，所述Mg量子点的直径为1nm~100nm，相邻的所述Mg量子点的间距为10nm~1000nm。3.根据权利要求1所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述Mg量子点成核层的厚度为1nm~100nm，所述Mg
x
Al1‑
x
N包覆成核层的厚度为10nm~100nm，所述AlN三维成核层的厚度为10nm~100nm，所述Al
y
Ga1‑
y
N三维成核层的厚度为0.5um~5um。4.根据权利要求1所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述Mg
x
Al1‑
x
N包覆成核层中x的取值范围为0.01~0.5，所述Al
y
Ga1‑
y
N三维成核层中y的取值范围为0.1~0.9。5.根据权利要求1~4任一项所述的高光效LED外延片，其特征在于，所述有源层包括M个周期结构，所述周期结构包括交替层叠的Al
a
Ga1‑
a
N量子阱层和Al
b
Ga1‑
b
N量子垒层；其中，a的取值范围为0.2~0.6，b的取值范围为0.4~0.8，M的取值范围为3~15。...

【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：