图像显示装置的制造方法及图像显示装置制造方法及图纸

实施方式涉及的图像显示装置的制造方法具备：准备半导体层的工序；将所述半导体层经由第一金属层而向第一基板接合的工序；在透光性基板贴合所述半导体层的工序；除去所述第一基板且蚀刻所述半导体层而形成包括发光面和上表面的发光元件的工序；蚀刻所述第一金属层而形成覆盖所述上表面的遮光电极的工序；形成覆盖所述发光元件及所述遮光电极的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述第一绝缘膜及所述电路元件的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第一导孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成第一配线层的工序。二绝缘膜上形成第一配线层的工序。二绝缘膜上形成第一配线层的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像显示装置的制造方法及图像显示装置


[0001]本专利技术的实施方式涉及图像显示装置的制造方法及图像显示装置。

技术介绍

[0002]期望着高辉度、广可视角度、高对比度且低消耗电力的薄型的图像显示装置的实现。为了应对这样的市场要求，利用了自发光元件的显示装置的开发正在推进。
[0003]作为自发光元件，期待着使用了作为微细发光元件的微型LED的显示装置的登场。作为使用了微型LED的显示装置的制造方法，介绍了将单独形成的微型LED向驱动电路依次转印的方法。然而，若随着如全高清、4K、8K等这样成为高画质而微型LED的元件数变多，则单独形成许多微型LED并向形成有驱动电路等的基板依次转印的话，转印工序需要庞大的时间。而且，可能会产生微型LED与驱动电路等的连接不良等、产生成品率的下降。
[0004]已知有以下技术：在Si基板上使包括发光层的半导体层生长，在半导体层形成电极后，向形成有驱动电路的电路基板贴合(例如，参照专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：(日本)特开2002
‑
141492号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的技术问题
[0009]本专利技术的一实施方式提供缩短发光元件的转印工序且提高了成品率的图像显示装置的制造方法及图像显示装置。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]本专利技术的一实施方式涉及的图像显示装置的制造方法具备：准备包括发光层的半导体层的工序；将所述半导体层经由第一金属层而向第一基板接合的工序；在透光性基板的第一面贴合所述半导体层的工序；除去所述第一基板的工序；蚀刻所述半导体层而形成包括所述第一面上的发光面和设置于所述发光面的相反侧的上表面的发光元件的工序；蚀刻所述第一金属层而形成覆盖所述上表面且与所述上表面电连接的遮光电极的工序；形成覆盖所述第一面、所述发光元件及所述遮光电极的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述第一绝缘膜及所述电路元件的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第一导孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成第一配线层的工序。所述第一导孔设置于所述第一配线层与所述遮光电极之间，将所述第一配线层和所述遮光电极电连接。
[0012]本专利技术的一实施方式涉及的图像显示装置的制造方法具备：准备包括发光层的半导体层的工序；在透光性基板的第一面贴合所述半导体层的工序；在除去所述第一基板的工序之后在所述半导体层上形成第二金属层的工序；蚀刻所述半导体层而形成包括所述第一面上的发光面和设置于所述发光面的相反侧的上表面的发光元件的工序；蚀刻所述第二
金属层而形成覆盖所述上表面且与所述上表面电连接的遮光电极的工序；形成覆盖所述第一面、所述发光元件及所述遮光电极的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述电路元件及所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第一导孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成第一配线层的工序。所述第一导孔设置于所述第一配线与所述遮光电极之间，将所述第一配线和所述遮光电极电连接。
[0013]本专利技术的一实施方式涉及的图像显示装置具备：透光性部件，其具有第一面；发光元件，其包括所述第一面上的发光面和所述发光面的相反侧的上表面；遮光电极，其覆盖所述上表面且与所述上表面电连接；第一绝缘膜，其覆盖所述第一面、所述发光元件及所述遮光电极；电路元件，其设置于所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其覆盖所述第一绝缘膜及所述电路元件；第一导孔，其以贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的方式设置；第一配线层，其设置于所述第二绝缘膜上。所述第一导孔设置于所述第一配线层与所述遮光电极之间，将所述第一配线层和所述遮光电极电连接。
[0014]本专利技术的一实施方式涉及的图像显示装置具备：透光性部件，其具有第一面；第一半导体层，其在所述第一面上包括能够形成多个发光区域的发光面；多个发光层，其设置于所述第一半导体层上且隔开设置；多个第二半导体层，其分别设置于所述多个发光层上，具有与所述第一半导体层不同的导电型；多个遮光电极，其分别设置于所述多个第二半导体层上，与所述多个第二半导体层电连接；第一绝缘膜，其覆盖所述第一面、所述第一半导体层、所述多个发光层、所述多个第二半导体层及所述多个遮光电极；多个晶体管，其在所述第一绝缘膜上互相隔开设置；第二绝缘膜，其覆盖所述第一绝缘膜及所述多个晶体管；多个第一导孔，其以贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的方式设置；第一配线层，其设置于所述第二绝缘膜上。所述多个第二半导体层及所述多个发光层由所述第一绝缘膜分离。所述多个第一导孔分别设置于所述第一配线层与所述多个遮光电极之间，将所述第一配线层和所述多个遮光电极分别电连接。
[0015]本专利技术的一实施方式涉及的图像显示装置具备：透光性部件，其具有第一面；多个发光元件，其包括所述第一面上的发光面和所述发光面的相反侧的上表面；多个遮光电极，其覆盖所述上表面且与所述上表面电连接；第一绝缘膜，其覆盖所述第一面、所述多个发光元件及所述多个遮光电极；电路元件，其设置于所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其覆盖所述第一绝缘膜及所述电路元件；多个第一导孔，其以贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的方式设置；第一配线层，其设置于所述第二绝缘膜上。所述多个第一导孔设置于所述第一配线层与所述多个遮光电极之间，将所述第一配线层和所述多个遮光电极分别电连接。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据本专利技术的一实施方式，可实现缩短发光元件的转印工序且提高了成品率的图像显示装置的制造方法。
[0018]根据本专利技术的一实施方式，可实现缩短发光元件的转印工序且提高了成品率的图像显示装置。
附图说明
[0019]图1是例示第一实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
[0020]图2是例示第一实施方式的图像显示装置的示意性的框图。
[0021]图3是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的平面图。
[0022]图4A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
[0023]图4B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
[0024]图5A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
[0025]图5B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
[0026]图6是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的立体图。
[0027]图7A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
[0028]图7B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
[0029]图8A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，具备：准备包括发光层的半导体层的工序；将所述半导体层经由第一金属层而向第一基板接合的工序；在透光性基板的第一面贴合所述半导体层的工序；除去所述第一基板的工序；蚀刻所述半导体层而形成包括所述第一面上的发光面和设置于所述发光面的相反侧的上表面的发光元件的工序；蚀刻所述第一金属层而形成覆盖所述上表面且与所述上表面电连接的遮光电极的工序；形成覆盖所述第一面、所述发光元件及所述遮光电极的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述第一绝缘膜及所述电路元件的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第一导孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成第一配线层的工序；所述第一导孔设置于所述第一配线层与所述遮光电极之间，将所述第一配线层和所述遮光电极电连接。2.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，准备所述半导体层的工序包括在所述半导体层上形成所述第一金属层的工序。3.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备在将所述半导体层向所述第一基板接合的工序之前在所述第一基板的接合面上形成所述第一金属层的工序。4.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，具备：准备包括发光层的半导体层的工序；在透光性基板的第一面贴合所述半导体层的工序；在除去所述第一基板的工序之后在所述半导体层上形成第二金属层的工序；蚀刻所述半导体层而形成包括所述第一面上的发光面和设置于所述发光面的相反侧的上表面的发光元件的工序；蚀刻所述第二金属层而形成覆盖所述上表面且与所述上表面电连接的遮光电极的工序；形成覆盖所述第一面、所述发光元件及所述遮光电极的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述电路元件及所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第一导孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成第一配线层的工序；所述第一导孔设置于所述第一配线与所述遮光电极之间，将所述第一配线和所述遮光电极电连接。5.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备在将所述半导体层贴合的工序之前将所述半导体层的露出面粗糙化且遍及粗糙化的面上而形成具有透光性的膜的工序。
6.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第二导孔的工序，所述发光元件包括连接部，所述第二导孔设置于所述第一配线层与所述连接部之间，将所述第一配线层和所述连接部电连接。7.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备：在贴合所述半导体层的工序之前在所述半导体层上形成具有透光性的导电层的工序；在除去所述第一基板的工序之后蚀刻所述导电层而形成第二配线层的工序。8.根据权利要求7所述的图像显示装置的制造方法，还具备形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第二导孔的工序，所述第二导孔设置于所述第一配线层与所述第二配线层之间，将所述第一配线层和所述第二配线层电连接。9.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备在形成所述电路元件的工序之前在所述第一绝缘膜上形成遮光层的工序。10.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，所述半导体层包含氮化镓系化合物半导体。11.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备在所述第一面的相反侧的第二面形成波长转换部件的工序。12.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，还具备除去所述透光性基板且取代所述透光性基板而形成波长转换部件的工序。13.一种图像显示装置，其特征在于，具备：透光性部件，其具有第一面；发光元件，其包括所述第一面上的发光面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元肇，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：