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本发明提供一种高光效LED外延片、制备方法及LED芯片，外延片包括衬底及在衬底上依次沉积的缓冲层、复合三维成核层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层及P型接触层，复合三维成核层包括依次沉积的Mg量子点...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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