处理半导体加工部件的方法及由之形成的部件技术

公开了各种半导体加工部件及其制造方法。一个实施方式中，半导体加工部件由ＳｉＣ形成，部件的外表面部分的表面杂质水平不大于体杂质水平的１０倍。另一个实施方式中，处理半导体加工部件的方法包括将部件在升高温度下暴露于卤素气体中，氧化所述部件形成氧化层，并除去该氧化层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及在制造半导体环境中使用的半导体加工部件的处理方法，以 及由之形成的半导体加工部件。
技术介绍
在半导体加工领域，通常的集成电路器件是通过各种晶片加工技术来形成的， 加工中，半导体(主要是硅)晶片通过不同的工位和工具进行加工处理。这些加工操 作包括，例如，高温扩散、热处理、离子注入、退火、光刻、抛光、沉积等。随 着新型半导体器件的研制，行业内迫切需要在这样的加工过程中达到越来越高的 纯度。此外，一直需要转向越来越大的半导体晶片。目前，半导体行业处于从200mm 向300mm晶片的转变。对更高纯度和更大晶片的需求导致对下一代生产加工的综 合挑战。本文中，已发现，随晶片尺寸增大，由晶片质量和表面积的增大引起的重力 应力导致被理解为半导体晶片中的晶面滑移(slip)。晶面滑移本身表现为晶片中的 滑动线，导致器件产出随晶片尺寸增大而成比例下降，并且一定程度地削弱大表 面积晶片的成本优势。试图减小结晶滑差，在加工期间需要更完全支持晶片。 一种方法是对半导体 加工部件进行机加工，特别在与加工部件晶片接触的那些部分上提供光滑的光洁 度(finish)。这样的加工部件包括例如半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理半导体加工部件的方法，该方法包括下面步骤：　使在部件表面部分包含的污染物在升高温度下反应，形成反应产物，所述的外表面部分的表面粗糙度小于约２微米。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：Y纳伦德拉，RF巴克利，AG黑尔，RR亨斯特，
申请(专利权)人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]