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公开了各种半导体加工部件及其制造方法。一个实施方式中，半导体加工部件由ＳｉＣ形成，部件的外表面部分的表面杂质水平不大于体杂质水平的１０倍。另一个实施方式中，处理半导体加工部件的方法包括将部件在升高温度下暴露于卤素气体中，氧化所述部件形成氧化...
该专利属于圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司授权不得商用。

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