一种垂直β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种垂直β

【技术实现步骤摘要】
一种垂直
β
‑
Ga2O3肖特基势垒二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及肖特基二极管


技术介绍

[0002]β
‑
Ga2O3具有优越的物理特性，如超宽的禁带(4.5
‑
4.9eV)，高理论电场强度(8MV/cm)和高热稳定性。这些特性使β
‑
Ga2O3功率器件在高压、高温和辐照等极端环境下有应用场景。
[0003]但目前氧化镓尚未实现商业化，主要原因是现有结构的电学参数还远没有达到理论上氧化镓半导体的状态，如低导通电阻R
on,sp
,低泄漏电流和高击穿电压V
br
。
[0004]为了充分发挥β
‑
Ga2O3的优势来实现高击穿电压，可靠有效的边缘终端是必不可少的。场板、离子注入、沟槽MOS，以上边缘终端的一个或多个组合，已被用于降低器件边缘的电场聚集从而提高击穿电压。但是，离子注入边缘终端通常涉及未固化的晶体缺陷，这可能会导致过大的泄漏电流以及电荷俘获；而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直β
‑
Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于，包括以下结构：n型氧化镓衬底层；n型氧化镓外延层，在所述n型氧化镓衬底层上；p型NiO层，在所述n型氧化镓外延层上；阳极金属层，阳极金属层的一部分在所述n型氧化镓外延层上，另一部分在p型NiO层上，阳极金属与n型氧化镓外延层是肖特基接触；阴极金属层，与n型氧化镓衬底层欧姆接触。2.根据权利要求1所述的一种垂直β
‑
Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于，阳极金属层覆盖p型NiO层的宽度范围为10～30μm。3.根据权利要求1或2所述的一种垂直β
‑
Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于，所述p型NiO层的厚度范围为100
‑
300nm。4.根据权利要求1或2所述的一种垂直β
‑
Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于，所述p型NiO层空穴浓度范围为：1
×
10
15
cm
‑3～1
×
10
19
cm
‑3。5.根据权利要求1所述的一种垂直β
‑
Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于，所述p型NiO层空穴浓度N
A
为1
×
10
17
cm
‑3。6.根据权利要求1或2所述的一种垂直β
‑
Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于，所述p型NiO层的厚度为220nm。7.根据权利要求1或2所述的一种垂直β
‑
Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于，阳极金属层覆盖p型NiO层的宽度为20μm。8.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐光伟，郝伟兵，文俊棚，龙世兵，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
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