光电器件和用于制造光电器件的方法技术

光电器件(1)包括光电半导体芯片(2)、光学元件(3)和芯片载体(5)。半导体芯片(2)布置在所述芯片载体(5)上。光学元件(3)在所述半导体芯片(2)的辐射方向(7)上布置在所述半导体芯片(2)下游并且借助于粘合层(6)被紧固在光学载体(12)处。浇铸件(4)围绕所述光学元件(3)、所述光学载体(12)和所述粘合层(6)构成从所述光学元件(3)蔓延到所述光学载体(12)上的框架。浇铸件(4)相对于所述半导体芯片(2)将所述光学元件(3)固定在其位置中。光学元件(3)固定在其位置中。光学元件(3)固定在其位置中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电器件和用于制造光电器件的方法


[0001]说明一种光电器件。此外说明一种用于制造光电器件的方法。

技术介绍

[0002]要解决的任务尤其是在于说明一种光电器件，所述光电器件以长耐用性和高机械稳健性为特色。另一要解决的任务尤其是在于说明一种用于制造这样的器件的方法。

技术实现思路

[0003]这些任务通过具有独立专利权利要求1的特征的主题来解决或通过具有独立专利权利要求8的特征的方法来解决。有利的设计方案和改进方案是分别从属的专利权利要求的主题。
[0004]根据光电器件的至少一种实施方式，该光电器件包括光电半导体芯片、光学元件和芯片载体。半导体芯片例如包括具有有源区的半导体层序列。例如，半导体层序列包括p型导电半导体层和n型导电半导体层，其中有源区布置在p型导电层和n型导电层之间。有源层用于产生或吸收电磁辐射。有源区尤其是包含至少一个以单个量子阱为形式的量子阱结构，简称为SQW，或者以多量子阱结构为形式的量子阱结构，简称为MQW。附加地，有源区包含一个、优选地多个侧阱结构(Nebentopfstrukturen)。M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电器件(1)，所述光电器件具有光电半导体芯片(2)、光学元件(3)和芯片载体(5)，其中
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所述半导体芯片(2)布置在所述芯片载体(5)上，
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所述光学元件(3)在所述半导体芯片(2)的辐射方向(7)上布置在所述半导体芯片(2)下游并且借助于粘合层(6)被紧固在光学载体(12)处,
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浇铸件(4)围绕所述光学元件(3)、所述光学载体(12)和所述粘合层(6)构成从所述光学元件(3)蔓延到所述光学载体(12)上的框架，
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所述浇铸件(4)相对于所述半导体芯片(2)将所述光学元件(3)固定在其位置中。2.根据权利要求1所述的光电器件(1)，其中
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所述光学元件(3)的侧面(8)至少部分地在辐射方向(7)上看朝向所述辐射方向倾斜，并且
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所述浇铸件(4)布置在所述光学元件(3)的侧面(8)处。3.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件(1)，其中所述光学元件(3)的前侧(9)是无所述粘合层(6)和所述浇铸件(4)的。4.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件(1)，其中
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所述光学载体(12)和所述芯片载体(5)整体地构造，
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在辐射方向(7)上看，所述光学载体(12)侧向地至少部分地包围所述半导体芯片(2)。5.根据权利要求4所述的光电器件(1)，其中
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所述光学载体(12)在背离所述半导体芯片(2)的侧处具有至少一个凹处(13)，
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所述浇铸件(4)具有至少一个突出部(14)，所述突出部与所述光学载体(12)的至少一个凹处(13)啮合。6.根据权利要求1至3中任一项所述的光电器件(1)，其中
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所述光学载体(12)通过所述半导体芯片(2)构成，
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所述浇铸件(4)至少部分地遮蔽所述半导体芯片(2)的边侧。7.根据前述权利要求中任一项所述的光电器件(1)，其中所述半导体芯片(2)是表面发射发光二极管芯片或表面发射激光二极管芯片。8.一种用于制造光电器件(1)的方法，所述方法包括以下步骤：
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提供具有大量凹口(17)的衬底(16)；
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将至少一个半导体芯片(2)放置到每个凹口(17)中；
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在所述凹口(17)之间向所述衬底(16)构造切口(18)，使得构造多个通过芯片载体(5)连接的光学载体(12)；
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将光学元件(3)粘贴在所述光学载体(12)处，使得光学元件(3)位于每个凹口(17)上并且在所述光学元件(3)之间在所述切口(18)上方构造间隙(28)；
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利用浇铸件(4)填充所述切口(18)和部分地填充所述间隙(28)；
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通过所述浇铸件(4)沿着在所述切口(18)中伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：