使谐波失真最小化的具有隔离结构布局的ESD保护器件制造技术

本公开的各实施例总体上涉及使谐波失真最小化的具有隔离结构布局的ESD保护器件。一种ESD保护器件包括：具有上表面的半导体本体、各自从上表面延伸到半导体本体中的多个p型阱、各自从上表面延伸到半导体本体中的多个n型阱、包括横向地围绕p型阱并且从上表面延伸到半导体本体中至少与p型阱一样深的电绝缘体的第一隔离区、以及包括横向地围绕n型阱并且从上表面延伸到半导体本体中至少与n型阱一样深的电绝缘体的第二隔离区，其中p型阱和n型阱在第一方向上彼此交替，并且其中第一隔离区的隔离面积大于第二隔离区的隔离面积。隔离面积大于第二隔离区的隔离面积。隔离面积大于第二隔离区的隔离面积。

【技术实现步骤摘要】
使谐波失真最小化的具有隔离结构布局的ESD保护器件


[0001]本申请涉及半导体器件，并且具体地涉及静电放电保护器件。

技术介绍

[0002]诸如晶体管、二极管、电阻器、电光器件、精密薄膜电阻器和各种集成电路等组件都对静电放电(ESD)敏感。随着电子制造商努力使器件小型化并且提高操作速度，器件对ESD的敏感性越来越高。为了避免在组装或操作期间脉冲对集成电路或电子器件的损坏，ESD保护器件连接在集成电路的引脚之间或在印刷电路板上的迹线之间，以防止连接在引脚或迹线之间的电路因ESD电流脉冲而发生故障或击穿。ESD保护器件被配置为在正常操作电平下不导电，并且在ESD事件产生过电压的情况下变得导电，从而从敏感元件转移损坏电流。
[0003]天线应用的ESD保护器件应当具有非常低的电容，并且在关闭状态下产生最小谐波失真。在天线应用中使用的双向ESD保护器件中，谐波失真会导致非线性。尽管由于非线性器件电容的面积相关变化而导致谐波失真与器件的有源面积成比例地缩放，但减小有源面积受到器件稳健性、过冲和箝位性能的限制。对于硅基ESD保护器件，实现高线性性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ESD保护器件，包括：半导体本体，包括上表面；多个p型阱，所述多个p型阱各自从所述上表面延伸到所述半导体本体中；多个n型阱，所述多个n型阱各自从所述上表面延伸到所述半导体本体中；第一隔离区，包括横向地围绕所述p型阱并且从所述上表面延伸到所述半导体本体中的电绝缘体；以及第二隔离区，包括横向地围绕所述n型阱并且从所述上表面延伸到所述半导体本体中的电绝缘体，其中所述p型阱和所述n型阱在第一方向上彼此交替，并且其中所述第一隔离区的隔离面积大于所述第二隔离区的隔离面积。2.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中所述p型阱和所述n型阱中的每个阱在所述第一方向上彼此间隔开，其中所述p型阱和所述n型阱中的每个阱具有细长矩形几何形状，并且其中所述p型阱的长边和所述n型阱的长边平行于第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。3.根据权利要求2所述的ESD保护器件，其中所述第一隔离区包括邻接所述p型阱的两个长边的第一细长部分和第二细长部分，其中所述第二隔离区包括邻接所述n型阱的两个长边的第一细长部分和第二细长部分，并且其中所述第一隔离区的第一细长部分和第二细长部分的总宽度大于所述第二隔离区的第一细长部分和第二细长部分的总宽度。4.根据权利要求2所述的ESD保护器件，其中所述第一隔离区包括邻接所述p型阱的两个端面的第一缩短部分和第二缩短部分，其中所述第二隔离区包括邻接所述n型阱的两个端面的第一缩短部分和第二缩短部分，并且其中所述第一隔离区的第一缩短部分和第二缩短部分的总宽度大于所述第二隔离区的第一缩短部分和第二缩短部分的总宽度。5.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中所述第一隔离区由所述半导体本体中的多个单独的介电区提供，多个单独的介电区各自具有围绕所述p型阱中的一个p型阱的外边界，并且其中所述第二隔离区由所述半导体本体中的多个单独的介电区提供，多个单独的介电区各自具有围绕所述n型阱中的一个n型阱的外边界。6.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中所述第一隔离区由所述半导体本体中围绕所述p型阱中的数个p型阱的连续介电区提供，并且其中所述第二隔离区由所述半导体本体中的多个单独的介电区提供，所述多个单独的介电区各自具有围绕所述n型阱中的一个n型阱的外边界。7.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中所述第一隔离区的所述隔离面积比所述第
二隔离区的所述隔离面积大至少10％。8.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中所述第一隔离区和所述第二隔离区各自由形成在所述上表面中的沟槽限定，并且其中限定所述第一隔离区和所述第二隔离区的所述沟槽填充有介电材料、气体和真空中的至少一种。9.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中所述n型阱中的每个n型阱包括彼此形成p
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【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：