可调节击穿电压的PN结结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种可调节击穿电压的PN结结构及其制作方法，通过在PN结的P型区域或者N型区域设置隔离层和电位控制端，通过电位控制端接不同的电位来调节PN结耗尽区宽度，从而改变PN结的击穿电压。且所述隔离层和所述电位控制端，可以通过在集成电路CMOS工艺做栅极时，在二极管PN结的P型或者N型低浓度区域增加栅氧层和多晶硅栅极来实现，通过多晶硅栅极接不同的电位来调节PN结耗尽区宽度，改变PN结击穿电压。压。压。

【技术实现步骤摘要】
可调节击穿电压的PN结结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种可调节击穿电压的PN结结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]二极管作为半导体技术发展之路的开山鼻祖，目前在集成电路中已经变得边缘化，只有少量模拟电路、传感电路仍会用到二极管。但二极管所包含的半导体势垒结构是所有半导体器件、集成电路必不可少的基础元素。在二极管技术的根基上，不仅发展出了集成电路，二极管还被广泛应用于光电领域。半导体二极管所具有的PN结、肖特基结构是集成电路中必不可少的基础结构。
[0003]对于集成电路常用的普通二极管，一般芯片制作完成后，芯片中二极管的击穿电压就已经确定，在实际应用中就无法对二极管的击穿电压进行调整。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种可调节击穿电压的PN结结构及其制作方法，通过制作电位控制端接不同的电位来调节PN结耗尽区宽度，从而改变PN结的击穿电压。
[0005]为达到上述目的，本专利技术提供一种可调节击穿电压的PN结结构，包括：
[0006]PN结的P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调节击穿电压的PN结结构，其特征在于，包括：PN结的P型区域或者N型区域上依次设置有隔离层和电位控制端，通过电位控制端接不同的电位来调节PN结耗尽区的宽度，改变PN结的击穿电压。2.根据权利要求l所述的可调节击穿电压的PN结结构，其特征在于，所述隔离层为栅氧层，所述电位控制端为多晶硅栅极。3.根据权利要求2所述的可调节击穿电压的PN结结构，其特征在于，所述隔离层和所述电位控制端形成在N型区域。4.根据权利要求3所述的可调节击穿电压的PN结结构，其特征在于，所述N型区域为形成在衬底上的N阱，所述P型区域为形成在所述N阱表面区域的P型离子掺杂区。5.根据权利要求3所述的可调节击穿电压的PN结结构，其特征在于，所述N阱表面区域还形成有N型离子掺杂区，作为所述N型区域的引出端。6.根据权利要求3所述的可调节击穿电压的PN结结构，其特征在于，所述隔离层和所述电位控制端形成所述N阱上，并位于所述N型离子掺杂区和所述P型离子掺杂区之间。7.根据权利要求l所述的可调节击穿电压的PN结结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾培楼，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：