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本发明提供一种可调节击穿电压的PN结结构及其制作方法,通过在PN结的P型区域或者N型区域设置隔离层和电位控制端,通过电位控制端接不同的电位来调节PN结耗尽区宽度,从而改变PN结的击穿电压。且所述隔离层和所述电位控制端,可以通过在集成电路CM...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种可调节击穿电压的PN结结构及其制作方法,通过在PN结的P型区域或者N型区域设置隔离层和电位控制端,通过电位控制端接不同的电位来调节PN结耗尽区宽度,从而改变PN结的击穿电压。且所述隔离层和所述电位控制端,可以通过在集成电路CM...