图像传感器和包括其的电子设备制造技术

技术编号:37700947 阅读:20 留言:0更新日期:2023-06-01 23:44
一种图像传感器,包括:传感器衬底,包括被配置为感测第一波长的光的多个第一像素和被配置为感测第二波长的光的多个第二像素;以及设置在传感器衬底上的抗反射元件,其中所述抗反射元件包括多个低折射率图案和设置在所述多个低折射率图案和所述传感器衬底之间的高折射率层。折射率层。折射率层。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器和包括其的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2021年11月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10

2021

0167686号的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本公开涉及一种图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置。

技术介绍

[0004]图像传感器通常通过滤色器来感测入射光的颜色。然而,滤色器可能具有低的光利用效率,因为滤色器吸收除预期光颜色以外的颜色的光。例如,当使用RGB滤色器时,只有1/3的入射光透过,而另一部分的入射光,即2/3的入射光被吸收。因此,光利用效率仅为33%左右。因此,在彩色显示装置或彩色图像传感器中,大部分光损失发生在滤色器中。此外,图像传感器包括彼此间具有不同折射率的多个层,并且入射光可被界面层反射。为了提高图像传感器的光利用效率,图像传感器需要具有对入射光的低反射率。

技术实现思路

[0005]一个或多个示例实施例包括具有低反射率和提高的量子效率的图像传感器以及包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,包括:传感器衬底,包括被配置为感测第一波长的光的多个第一像素,以及被配置为感测第二波长的光的多个第二像素;以及设置在所述传感器衬底上的抗反射元件,其中,所述抗反射元件包括:多个低折射率图案;以及设置在所述多个低折射率图案和所述传感器衬底之间的高折射率层。2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述高折射率层的厚度在5nm到50hm的范围内。3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述传感器衬底包括第一区域和第二区域,其中,光以第一主光角CRA入射到所述第一区域,并且光以大于所述第一CRA的第二CRA入射到所述第二区域,所述第二区域上的多个低折射率图案的布置周期和填充因子分别大于所述第一区域上的多个低折射率图案的布置周期和填充因子,以及所述多个低折射率图案的填充因子被定义为低折射率图案的宽度与所述多个低折射率图案的布置周期的比率。4.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:分色透镜阵列,被配置为在改变所述第一波长的光的相位后,将所述第一波长的光汇聚到所述多个第一像素上,并且在改变所述第二波长的光的相位后,将所述第二波长的光汇聚到所述多个第二像素上。5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述分色透镜阵列设置在所述传感器衬底和所述抗反射元件之间。6.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述抗反射元件设置在所述分色透镜阵列和所述传感器衬底之间。7.根据权利要求6所述的图像传感器,还包括:设置在所述抗反射元件和所述分色透镜阵列之间的滤色器阵列,其中,所述滤色器阵列包括:多个第一滤色器,被布置为分别对应于所述多个第一像素,且被配置为选择性地透射所述第一波长的光;以及多个第二滤色器,被布置为分别对应于所述多个第二像素,且被配置为选择性地透射所述第二波长的光。8.根据权利要求4所述的图像传感器,其中:所述分色透镜阵列包括多个纳米柱和围绕所述多个纳米柱的外围材料层,以及所述多个纳米柱和所述多个低折射率图案在垂直于所述传感器衬底的上表面的方向上彼此对齐。9.根据权利要求4所述的图像传感器,其中:所述分色透镜阵列包括多个纳米柱和围绕所述多个纳米柱的外围材料层,以及所述多个纳米柱和所述多个低折射率图案被布置为在垂直于所述传感器衬底的上表面的方向上彼此偏离。10.根据权利要求4所述的图像传感器,其中:
所述分色透镜阵列包括下阵列和设置在所述下阵列上的上阵列,以及所述下阵列和所述上阵列中的每一个均包括多个纳米柱和围绕所述多个纳米柱的外围材料层。11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中:所述上阵列的多个纳米柱和所述多个低折射率图案在垂直于所述传感器衬底的上表面的方向上彼此对齐。12.根据权利要求1所述的图像传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员:李相润卢淑英尹鉐皓
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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