一种半导体芯片的离子注入装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出一种半导体芯片的离子注入装置，包括：离子源发射器；晶圆支撑架，以支撑承载晶圆；多个法拉第杯，形成一闭合形状，每两个相邻的所述法拉第杯依次接触；安装架，以安装多个所述法拉第杯；以及控制单元，分别与所述离子源发射器、多个所述法拉第杯电性连接；其中，所述晶圆在安装架上的投影，位于所述闭合形状内。本申请可改善多个芯片在电性特征上的一致性。上的一致性。上的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的离子注入装置


[0001]本技术涉及半导体领域，具体涉及一种半导体芯片的离子注入装置。

技术介绍

[0002]离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制。离子注入克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。
[0003]一个晶圆结构上可设置有多个芯片，对于不同的芯片，在离子注入(ion implantation，IMP)制程中，在芯片结构存在差异时，存在离子注入制程在芯片注入的离子量不一致的情况。当离子注入制程在芯片注入的离子量不一致时，无法进行实时的检测与调整。离子注入制程之后，在后续的终端电性测试时，存在各个芯片的电性特征差异性较大的问题，无法满足生产的需求。

技术实现思路

[0004]本技术提出一种半导体芯片的离子注入装置，可改善对于不同的芯片在其结构存在差异时，存在各个芯片的电性特征差本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的离子注入装置，其特征在于，包括：离子源发射器；晶圆支撑架，以支撑承载晶圆；多个法拉第杯，形成一闭合形状，每两个相邻的所述法拉第杯依次接触；安装架，以安装多个所述法拉第杯；以及控制单元，分别与所述离子源发射器、多个所述法拉第杯电性连接；其中，所述晶圆在所述安装架上的投影，位于所述闭合形状内。2.根据权利要求1所述一种半导体芯片的离子注入装置，其特征在于，多个所述法拉第杯形成的闭合形状为矩形。3.根据权利要求1所述一种半导体芯片的离子注入装置，其特征在于，所述离子源发射器发射的离子束，穿过所述晶圆所在的平面和多个所述法拉第杯所在的平面。4.根据权利要求3所述的一种半导体芯片的离子注入装置，其特征在于，所述晶圆所在的平面和多个所述法拉第杯所在的平面位于水平方向。5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖宜专，郑志成，吴启明，吴志楠，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：