半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包含有一氮化镓(GaN)层，一氮化镓铝(AlGaN)层位于该氮化镓层上，一极性促进层，位于该氮化镓铝层上并且直接接触该氮化镓铝层，以及一栅极衬垫层，位于该极性促进层上。层上。层上。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管的绝缘结构及其制作方法，其中包含有一极性促进层，可以提高氮化镓铝(AlGaN)层的极性。

技术介绍

[0002]III
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V族半导体化合物由于其半导体特性而可应用于形成许多种类的集成电路装置，例如高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)。在高电子迁移率晶体管中，两种不同能带隙(band
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gap)的半导体材料是结合而于结(junction)形成异质结(heterojunction)而为载流子提供沟道。近年来，氮化镓系列的材料由于拥有较宽能隙与饱和速率高的特点而适合应用于高功率与高频率产品。氮化镓系列的高电子迁移率晶体管由材料本身的压电效应产生二维电子气(two
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dimensional electron gas,2DEG)，相较于传统晶体管，高电子迁移率晶体管的电子速度及密度均较高，故可用以增加切换速度。
[0003]以氮化镓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含有:氮化镓(GaN)层；氮化镓铝(AlGaN)层，位于该氮化镓层上；极性促进层，位于该氮化镓铝层上并且直接接触该氮化镓铝层；以及栅极衬垫层，位于该极性促进层上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该极性促进层的材质包含有p型掺杂的硅。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该极性促进层的最小厚度低于30埃。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有凹槽，位于该极性促进层内，且该栅极衬垫层部分位于该凹槽中。5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该极性促进层位于该凹槽正下方的厚度，小于该极性促进层位于该凹槽旁边的厚度。6.如权利要求4所述的半导体结构，其中还包含有极性改质层，位于该凹槽内，并且位于该栅极衬垫层与该极性促进层之间。7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该极性改质层包含有硅，且其包含的碳浓度高于该极性促进层所包含的碳浓度。8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该栅极衬垫层包含有p型掺杂的氮化镓。9.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有介电层，位于该极性促进层上，且一部分的该栅极衬垫层覆盖住该介电层。10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该极性促进层包含有选自硼、铝、镓、铟、铊的掺杂离子。11.一种半导体结构的制作方法，包含有:形成氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：张智伟，林大钧，锺耀贤，苏士炜，张豪轩，简廷安，蔡滨祥，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：