用于多通道FET的欧姆接触制造技术

一种用于多通道(20)FET(14)的欧姆接触(10、12)，包括多个狭缝形凹槽(16)，狭缝形凹槽(16)在多通道FET所在的晶圆(18)中，其中每一个凹槽的深度至少等于最低通道层的深度。在每一个凹槽的侧壁(40、42)中和侧壁(40、42)上的欧姆金属(22)向多个通道层中的每一个提供欧姆接触。可以提供与每一个凹槽的外边缘邻接的欧姆金属填充的线性连接凹槽，以及在晶圆的顶表面上的欧姆金属接触层，欧姆金属接触层在每一个凹槽中的欧姆金属上方并与欧姆金属接触。本欧姆接触通常用作多通道FET的源极和/或漏极接触。还描述了使用再生长材料与多个通道进行欧姆接触，其中再生长材料优选地具有波纹结构。构。构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于多通道FET的欧姆接触
[0001]政府权利
[0002]本专利技术是在DARPA DREAM授予的FA8650
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18
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C
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7807的政府支持下完成的。政府对本专利技术具有一定的权利。


[0003]本专利技术一般涉及欧姆接触，更具体地涉及用于多通道场效应晶体管(FET)的欧姆接触。

技术介绍

[0004]由多个(堆叠)通道结构组成的场效应晶体管(FET)近来因其可提高功率放大器和功率开关应用中的电流密度和降低导通电阻而受到关注。对于单通道FET，传统的合金欧姆接触是通过退火薄金属层(如GaN FET的Ti/Al/Mo/Au，GaAs/InGaAs FET的AuGe/Ni/Au)堆叠而形成的；下沉金属形成与通道层的欧姆接触。然而，这种方法对于多通道FET结构效果不好，多通道FET结构中顶部半导体表面和堆叠通道之间的距离较大，因为合金金属不能到达深通道。这导致多通道晶体管的接触电阻高。
[0005]“再生长”欧姆接触是用于形成低电阻欧姆接触的另一种技术。已经证明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于FET的欧姆接触，包括：多个狭缝形凹槽，在FET所在的晶圆中，所述FET具有一个或多个通道层，每一个凹槽的深度至少等于所述FET的最低通道层的深度，所述凹槽彼此线性对准，所述凹槽的线的取向垂直于所述FET的源极和漏极之间的电流流动的方向；以及欧姆金属，在每一个所述狭缝形凹槽的侧壁中和侧壁上，使得每一个所述FET的通道层形成欧姆接触。2.一种用于多通道FET的欧姆接触，包括：多个狭缝形凹槽，在多通道FET所在的晶圆中，每一个凹槽的深度至少等于所述FET的最低通道层的深度，所述凹槽彼此线性对准，所述凹槽的线的取向垂直于所述FET的源极和漏极之间的电流流动的方向；以及欧姆金属，在每一个所述狭缝形凹槽的侧壁中和侧壁上，使得多个通道层中的每一个形成欧姆接触。3.根据权利要求2所述的欧姆接触，其中，每一个所述狭缝形凹槽具有电流流入或流出的内边缘和外边缘，还包括线性连接凹槽，与每一个所述狭缝形凹槽的外边缘邻接，所述欧姆金属也在所述线性连接凹槽中，使得所述欧姆金属将所述狭缝形凹槽和所述线性连接凹槽与所述多个通道层互连。4.根据权利要求2所述的欧姆接触，还包括欧姆金属接触层，在所述晶圆的顶表面上，所述欧姆金属接触层在所述凹槽的线中的每一个凹槽中的所述欧姆金属上方并且与所述欧姆金属接触。5.根据权利要求4所述的欧姆接触，其中，所述欧姆金属接触层具有内边缘和外边缘，所述凹槽的线从所述欧姆金属接触层的内边缘后退≥0μm的距离，使得每一个所述凹槽被所述欧姆金属接触层完全覆盖。6.根据权利要求4所述的欧姆接触，其中，所述欧姆金属接触层具有内边缘和外边缘，以及被定义为所述内边缘和所述外边缘之间的距离的相关宽度，并且每一个所述凹槽具有在与所述欧姆金属接触层的宽度相同的方向上定义的相关公共宽度，所述欧姆金属接触层的最小宽度等于所述凹槽的公共宽度。7.根据权利要求6所述的欧姆接触，其中，所述欧姆金属接触层的宽度等于或近似等于所述凹槽的公共宽度。8.根据权利要求2所述的欧姆接触，其中，所述多通道FET是n型AlGaN/GaN FET，并且所述欧姆金属包括Ti、Al、Mo和/或Au；或者所述多通道FET是p型AlGaN/GaN FET，并且所述欧姆金属包括Pd、Ni、Pt和/或Au。9.根据权利要求2所述的欧姆接触，其中，所述多通道FET是GaAs/InGaAs FET，并且所述欧姆金属包括AuGe、Ni和/或Au。10.根据权利要求2所述的欧姆接触，其中，所述多通道FET是AlGa2O3/Ga2O
3 FET，并且所述欧姆金属包括Ti和Au。11.根据权利要求2所述的欧姆接触，其中，所述欧姆接触是用于所述FET的源极或漏极接触。12.根据权利要求2所述的欧姆接触，其中，所述侧壁是倾斜的，所述侧壁的角度在45
°
和90
°
之间。13.一种多通道FET，包括：源极和漏极，每一个包括：多个狭缝形凹槽，在所述多通道FET所在的晶圆中，每一个凹槽的深度至少等于所述FET的最低通道层的深度，所述凹槽彼此线性对准，所述凹槽的线的取向垂直于所述FET的源极和漏极之间的电流流动的方向，每一个所述狭缝形凹槽具有电流流入或流出的内边缘和外边缘；线性连接凹槽，与每一个所述狭缝形凹槽的外边缘邻接；以及欧姆金属，在每一个所述狭缝形凹槽的侧壁中和侧壁上，以及在所述线性连接凹槽中，使得所述欧姆金属将所述狭缝形凹槽和所述线性连接凹槽互连，使得所述多个通道中的每一个形成欧姆接触。14.根据权利要求13所述的欧姆接触，还包括：第一欧姆金属接触层，在所述晶圆的顶表面上，所述欧姆金属接触层在所述源极的凹槽的线中的每一个凹槽中的所述欧姆金属上方并且与所述欧姆金属接触；以及第二欧姆金属接触层，在所述晶圆的顶表面上，所述欧姆金属接触层在所述漏极的凹槽的线中的每一个凹槽中的所述欧姆金属上方并且与所述欧姆金属接触；其中，所述第一欧姆金属接触层和所述第二欧姆金属接触层中的每一个具有内边缘和外边缘，所述凹槽的线中的每一个从欧姆金属接触层的内边缘后退≥0μm的距离，使得每一个所述凹槽被所述第一欧姆金属接触层或所述第二欧姆金属接触层完全覆盖。15.一种用于FET的欧姆接触，包括：再生长材料，在FET所在的晶圆上，所述FET具有一个或多个通道层，所述再生长材料横向接触所述FET的每一个通道层的侧壁。16.根据权利要求15所述的欧姆接触，其中，所述再生长材料具有内边缘，所述内边缘垂直于所述晶圆的顶表面并且接触所...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠原启介，凯西，
申请(专利权)人：特励达科学与成像有限责任公司，
类型：发明
国别省市：