温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于多通道(20)FET(14)的欧姆接触(10、12)，包括多个狭缝形凹槽(16)，狭缝形凹槽(16)在多通道FET所在的晶圆(18)中，其中每一个凹槽的深度至少等于最低通道层的深度。在每一个凹槽的侧壁(40、42)中和侧壁(40、4...
该专利属于特励达科学与成像有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过特励达科学与成像有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。