一种氮化物半导体晶体管及电子设备制造技术

本申请提供一种氮化物半导体晶体管及电子设备。该氮化物半导体晶体管包括衬底结构、氮化物外延结构以及功能电极层，衬底结构包括层叠设置的重掺杂P型衬底和轻掺杂P型外延层，轻掺杂P型外延层背离重掺杂P型衬底的一侧向重掺杂P型衬底延伸形成有N型区；氮化物外延结构包括依次形成于轻掺杂P型外延层上的氮化物缓冲层、势垒层以及P型氮化物层；功能电极层包括源极、漏极、栅极以及隔离层，第一隔离部与N型区对应且贯穿势垒层、氮化物缓冲层与轻掺杂P型外延层接触；第一隔离部内形成有金属连接件，金属连接件贯穿第一隔离部以连接漏极和N型区。该氮化物半导体晶体管相当于内置一PN型二极管，且形成一电流泄放通道，提高器件的可靠性。靠性。靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化物半导体晶体管及电子设备


[0001]本申请涉及半导体功率器件
，尤其涉及一种氮化物半导体晶体管及电子设备。

技术介绍

[0002]氮化镓(gallium nitride，GaN)具有禁带宽度大、迁移率高的优势，被广泛应用于电力电子器件以及射频器件中，特别是高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)。其中，HEMT具有可以产生二维电子气的异质结构，同时具备高迁移率以及高击穿场强的特点，并因此成为下一代电力电子器件以及射频器件的理想替代物。
[0003]在HEMT的结构设计中，击穿电压是其一项重要设计参数，它基本决定了功率器件的最大输出功率。具体如图1所示的一种HEMT的结构，该HEMT具有衬底1以及外延形成于衬底10上的GaN缓冲层20、势垒层30以及P型GaN层40，从而保证GaN缓冲层20的纵向击穿电压；当然，还包括设置在势垒层30上的源极50、漏极60、隔离层70以及设置于P型GaN层40上的栅极80，漏极60将隔离层70分为第一隔离部701和第二隔离部702，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物半导体晶体管，其特征在于，包括：衬底结构、氮化物外延结构以及功能电极层；所述衬底结构包括层叠设置的重掺杂P型衬底和轻掺杂P型外延层，所述轻掺杂P型外延层背离所述重掺杂P型衬底的一侧向所述重掺杂P型衬底延伸形成有N型区；所述氮化物外延结构包括依次形成于所述轻掺杂P型外延层上的氮化物缓冲层、势垒层以及P型氮化物层；所述功能电极层包括源极、漏极、栅极以及隔离层，所述源极和漏极设置于所述势垒层上，所述栅极设置于所述P型氮化物层上，所述隔离层覆盖所述源极、所述栅极、所述势垒层以及所述P型氮化物层；其中，所述漏极将所述隔离层分隔为第一隔离部和第二隔离部，所述第一隔离部与所述N型区对应且贯穿所述势垒层、所述氮化物缓冲层与所述轻掺杂P型外延层接触；所述第一隔离部内形成有金属连接件，所述金属连接件贯穿所述第一隔离部以连接所述漏极和所述N型区。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体晶体管，其特征在于，所述轻掺杂P型外延层上形成有环绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋其梦，陈智斌，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：新型
国别省市：