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一种氮化物半导体晶体管及电子设备制造技术
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文档序号:37616095
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本申请提供一种氮化物半导体晶体管及电子设备。该氮化物半导体晶体管包括衬底结构、氮化物外延结构以及功能电极层,衬底结构包括层叠设置的重掺杂P型衬底和轻掺杂P型外延层,轻掺杂P型外延层背离重掺杂P型衬底的一侧向重掺杂P型衬底延伸形成有N型区;氮...
该专利属于华为技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华为技术有限公司授权不得商用。
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