低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件制造技术

本申请涉及一种低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件。多层氮化镓HEMT器件包括：半导体衬底、缓冲层、多层第一氮化镓通道层、多层第二氮化镓通道层、漏极、源极、第一栅极、第二栅极和多个辅助栅极。本申请通过设置辅助栅极并将辅助栅极与第一栅极连接，可以在第一栅极接收到高电压导通时，通过辅助栅极向第二氮化镓通道层提供空穴，通过提高第二氮化镓通道层中的空穴浓度，以降低导通电阻。以降低导通电阻。以降低导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件


[0001]本申请属于半导体开关
，尤其涉及一种低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件。

技术介绍

[0002]目前，GaN具备许多优异特性，但其耐压性能较差一直是应用的痛点之一，如果为了提升耐压提高了沟道层的厚度，由于只有一层的二维电子气(Two
‑
dimensional electron gas；2DEG)，其电流密度太低。
[0003]而具有多层GaN通道的器件结构，可以同时满足耐压与电流密度的需求，但是其问题是无法完全关断。通常栅极只能控制最靠近栅极的二维电子气，难以利用电压完全打断二维电子气的通道，构造出的高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor；HEMT)器件无法完全关断。所以多层的GaN通道的器件常常被用来当作常开型(D
‑
mode)HEMT使用，其缺点为加上负电压才能关闭器件，关闭时也有较大损耗发生。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：半导体衬底和设于所述半导体衬底顶面的缓冲层；多层第一氮化镓通道层，依次层叠设于所述缓冲层上；多层第二氮化镓通道层，依次层叠设于所述缓冲层上，且与多层所述第一氮化镓通道层一一对应；第一栅极，设于所述第一氮化镓通道层与所述第二氮化镓通道层之间的所述缓冲层上，并将每层所述第一氮化镓通道层与每层所述第二氮化镓通道层一对一地连接；漏极，设于所述缓冲层上；其中，所述漏极与所述第一栅极分别位于所述第二氮化镓通道层的两侧；源极，设于所述缓冲层上；其中，所述源极与所述第一栅极分别位于所述第一氮化镓通道层的两侧；第二栅极，设于多层所述第二氮化镓通道层中最上层的所述第二氮化镓通道层上，所述第二栅极与所述源极连接；多个辅助栅极，设于多层所述第二氮化镓通道层中最上层的所述第二氮化镓通道层上，多个所述辅助栅极分别设于所述第二栅极的两侧，且所述辅助栅极与所述第一栅极连接。2.如权利要求1所述的多层氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述第二栅极与相邻的所述辅助栅极之间的距离均相等。3.如权利要求1或2所述的多层氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述辅助栅极包括辅助盖帽层和欧姆金属层，所述欧姆金属层设于所述辅助盖帽层上，所述欧姆金属层用于与所述第一栅极连接。4.如权利要求1所述的多层氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述第一栅极包括鳍状结构；所述鳍状结构设于所述第一氮化镓通道层与所述第二氮化镓通道层之间的所述缓冲层上，所述鳍状结构内含有多层二维电子气，用于将每层所述第一氮化镓通道层与每层所述第二氮化镓通道层一对一地连接。5.如权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴龙江，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：