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本申请涉及一种低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件。多层氮化镓HEMT器件包括：半导体衬底、缓冲层、多层第一氮化镓通道层、多层第二氮化镓通道层、漏极、源极、第一栅极、第二栅极和多个辅助栅极。本申请通过设置辅助栅极并将辅助栅极与第一栅极连接，可...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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