半导体结构及其形成方法技术资料下载

当前位置: 首页 > 专利查询>联华电子股份有限公司 > 半导体结构及其形成方法技术 >技术资料下载

下载半导体结构及其形成方法的技术资料

文档序号：37677913

温馨提示：您尚未登录，请点登陆后下载，如果您还没有账户请点注册，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包含有一氮化镓(GaN)层，一氮化镓铝(AlGaN)层位于该氮化镓层上，一极性促进层，位于该氮化镓铝层上并且直接接触该氮化镓铝层，以及一栅极衬垫层，位于该极性促进层上。层上。层上。该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点登陆后下载，如果您还没有账户请点注册，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。