薄膜晶体管及薄膜晶体管阵列基底制造技术

公开了一种薄膜晶体管和一种薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管包括：遮光层，设置在基底上；氧供应层，设置在遮光层上，并且包括金属氧化物；缓冲层，设置在基底上，并且覆盖氧供应层；有源层，设置在缓冲层上，其中，有源层包括与遮光层叠置的沟道区以及分别与沟道区的相对侧接触的第一电极区域和第二电极区域；以及栅极绝缘层，设置在有源层的沟道区上。设置在有源层的沟道区上。设置在有源层的沟道区上。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及薄膜晶体管阵列基底
[0001]本申请要求于2021年11月19日提交的第10
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2021
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0160600号韩国专利申请的优先权以及由此获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。


[0002]公开的实施例涉及薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基底和用于制造薄膜晶体管的方法。

技术介绍

[0003]随着信息社会的发展，在各个领域中对用于显示图像的显示装置的需求正在增加。例如，显示装置应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航系统和智能电视的各种电子装置。
[0004]显示装置可以包括发射用于图像显示的光的显示面板以及供应信号和电压以驱动显示面板的驱动器。
[0005]显示面板可以包括彼此相对的一对基底以及设置在该对基底之间的偏振构件或发光构件。
[0006]包括在显示面板中的一对基底中的一个可以是薄膜晶体管阵列基底，该薄膜晶体管阵列基底包括用于单独驱动布置在用于实现图像显示的显示区域中的多个像素区域的多个薄膜晶体管。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：遮光层，设置在基底上；氧供应层，设置在所述遮光层上，其中，所述氧供应层包括金属氧化物；缓冲层，设置在所述基底上，并且覆盖所述氧供应层；有源层，设置在所述缓冲层上，其中，所述有源层包括与所述遮光层叠置的沟道区以及分别与所述沟道区的相对侧接触的第一电极区域和第二电极区域；栅极绝缘层，设置在所述有源层的所述沟道区上；栅电极，设置在所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在所述缓冲层上，并且覆盖所述有源层和所述栅电极，其中，第一电极孔通过所述层间绝缘层来限定以与所述有源层的所述第一电极区域的部分叠置；第一电极，设置在所述层间绝缘层上，并且经由所述第一电极孔连接到所述有源层的所述第一电极区域；以及接触孔，通过所述层间绝缘层和所述缓冲层来限定以与所述氧供应层的部分叠置，其中，所述遮光层经由所述接触孔和所述氧供应层连接到所述栅电极和所述第一电极中的一者，其中，所述氧供应层的与所述接触孔对应的部分具有第一厚度，并且所述氧供应层的另一部分具有小于所述第一厚度的第二厚度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述缓冲层直接设置在所述基底上，并且具有平坦化的顶表面，其中，所述缓冲层的与所述基底接触的部分具有第三厚度，其中，所述缓冲层的所述部分的所述第三厚度超过所述氧供应层的所述部分的所述第一厚度与所述遮光层的厚度的总和。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述第一电极孔的深度与所述接触孔的深度之间的差为或更小。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述金属氧化物和所述有源层中的每个包括从铟、镓、锌、锡、钛、锆和铪中选择的至少一种。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括：辅助氧供应层，设置在所述栅极绝缘层和所述栅电极之间，其中，所述辅助氧供应层包括所述金属氧化物。6.一种薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管阵列基底包括：基底，包括其中限定有多个像素区域的显示区域；扫描线，设置在所述基底的所述显示区域中，并且在第一方向上延伸；以及数据线，设置在所述基底的所述显示区域中，并且在第二方向上延伸，其中，所述多个像素区域中的每个包括：第一薄膜晶体管，设置在第一驱动电力线与像素电极之间；以及第二薄膜晶体管，设置在所述第一薄膜晶体管的栅电极与所述数据线之间，并且连接到所述扫描线，其中，从所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京垣，高殷慧，金连洪，金恩贤，金亨俊，李善熙，林俊亨，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：