显示面板及该显示面板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板及该显示面板的制造方法。提供一种包括发光元件和与该发光元件电连接的晶体管的显示面板。晶体管包括：底栅；氧化物半导体图案，布置于所述底栅上；以及顶栅，布置于所述氧化物半导体图案上。所述氧化物半导体图案包括：第一区域；以及第二区域，在所述氧化物半导体图案的厚度方向上布置于所述第一区域上。所述第一区域具有比所述第二区域低的氧的原子％。区域低的氧的原子％。区域低的氧的原子％。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及该显示面板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种显示面板及该显示面板的制造方法，更详细地，涉及一种包括氧化物晶体管的显示面板以及包括所述氧化物晶体管的显示面板的制造方法。

技术介绍

[0002]显示装置包括显示面板，显示面板包括发光元件以及用于控制施加到所述发光元件的电信号的像素电路。像素电路可以包括两个以上的晶体管。两个以上的晶体管可以包括氧化物晶体管和/或硅晶体管。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种耐久性得到提升的包括氧化物晶体管的显示面板。
[0004]本专利技术的目的在于提供一种包括所述氧化物晶体管的显示面板的制造方法。
[0005]根据本专利技术的一实施例的一种显示面板包括：发光元件；以及像素电路，电连接于所述发光元件。所述像素电路包括第一晶体管。所述第一晶体管包括：底栅；氧化物半导体图案，布置于所述底栅上；顶栅，布置于所述氧化物半导体图案上；第一绝缘层，布置于所述底栅与所述氧化物半导体图案之间；以及第二绝缘层，布置于所述氧化物半导体图案与所述顶栅之间。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括：发光元件；以及像素电路，电连接于所述发光元件，其中，所述像素电路包括第一晶体管，其中，所述第一晶体管包括：底栅；氧化物半导体图案，布置于所述底栅上；顶栅，布置于所述氧化物半导体图案上；第一绝缘层，布置于所述底栅与所述氧化物半导体图案之间；以及第二绝缘层，布置于所述氧化物半导体图案与所述顶栅之间，其中，所述氧化物半导体图案包括：第一区域；以及第二区域，在所述氧化物半导体图案的厚度方向上布置于所述第一区域上，其中，所述第一区域具有比所述第二区域低的氧的原子％。2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一区域的厚度为100埃至150埃，所述第二区域的厚度为100埃至150埃。3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述氧化物半导体图案还包括：边界区域，布置于所述第一区域与所述第二区域之间，所述边界区域中的氧的原子％大于所述第一区域的氧的原子％，并且所述边界区域中的氧的原子％小于所述第二区域的氧的原子％，所述边界区域的厚度小于所述第一区域的厚度及所述第二区域的厚度。4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一区域中的氧的原子％比所述第二区域中的氧的原子％低2原子％以上。5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述氧化物半导体图案包括铟镓锌氧化物，其中，当所述氧化物半导体图案包括铟镓锌氧化物时，所述第一区域中的氧的原子％为40原子％至60原子％。6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述像素电路还包括电容器，其中，所述电容器包括：第一电极，与所述氧化物半导体图案布置于相同的层上，并包括与所述氧化物半导体图案相同的透明导电性氧化物；以及第二电极，布置于所述第一电极的下侧。7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第二绝缘层以布置于所述第一电极与所述第二电极之间的方式延伸。8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第二绝缘层包括：硅氧化物层；以及硅氮化物层，布置于所述硅氧化物层上，其中，所述第二绝缘层的厚度为1000埃至1500埃。9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述第二绝缘层的厚度小于所述第三绝缘层的厚度。10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述像素电路还包括第二晶体管，其中，所述第二晶体管包括：硅半导体图案；栅极，布置于所述硅半导体图案上；以及上部电极，布置于所述栅极上，其中，所述上部电极与所述氧化物半导体图...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣国，金晒玹，文裕韩，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：