多指形晶体管结构及其制作方法技术

本发明专利技术提出了一种多指形晶体管结构及其制作方法，其中该多指形晶体管结构包含多个主动区域、一栅极结构，包含多个栅极部位与多个连接部位，其中每个栅极部位越过一个该主动区域，每个连接部位交互连接相邻的该些栅极部位的一端与另一端，如此形成蜿蜒的该栅极结构、多个源极与漏极，两个相邻的该栅极部位之间设有一该源极与一该漏极，每个该栅极部位两侧各设有一该源极与一该漏极，且该漏极与该栅极部位之间的距离大于该源极与该栅极部位之间的距离，以此以该栅极部位为中心不对称、以及气隙，位于每个该漏极与对应的该栅极部位之间的介电层中。介电层中。介电层中。

【技术实现步骤摘要】
多指形晶体管结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种多指形晶体管结构及其制作方法有关，更特定言之，其涉及一种具有不对称源极/漏极的多指形晶体管结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]智能手机以及5G通讯网络技术的兴起推动了业界对于绝缘体覆硅(silicon
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on
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insulator,SOI)基板的巨大需求，特别是对于射频绝缘体覆硅(RF
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SOI)基板。RF
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SOI是专门用于制造智能手机和其他产品中特定射频芯片(如开关和天线调谐器)的基板，相当于SOI技术的射频版本，其可改善谐波失真并恢复基底中的高电阻率属性，从而降低射频元件的插入损耗并提高系统的线性度。
[0003]特别是，因应未来5G通讯网络应用的逐渐到位，针对使用电磁波频率20～60GHz的毫米波(mmWave)所开发出的射频前段模块的需求数量大增，如功率放大器(power amplifier,PA)与低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)等元件，其必要的尺寸微缩化与高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多指形晶体管结构，包含：多个主动区域；栅极结构，包含多个栅极部位与多个连接部位，其中每个栅极部位越过一个该主动区域，每个连接部位交互连接相邻的该些栅极部位的一端与另一端，如此形成蜿蜒的该栅极结构；多个源极与漏极，两个相邻的该栅极部位之间设有一该源极与一该漏极，每个该栅极部位两侧各设有一该源极与一该漏极，且该漏极与该栅极部位之间的距离大于该源极与该栅极部位之间的距离，以此以该栅极部位为中心不对称；以及气隙，位于每个该漏极与对应的该栅极部位之间的介电层中。2.如权利要求1所述的多指形晶体管结构，其中每个该漏极与每个该源极上还包含多个接触件，位于该漏极上的该些接触件与对应的该栅极部位之间的距离大于位于该源极上的该些接触件与对应的该栅极部位之间的距离，以此以该栅极部位为中心不对称。3.如权利要求2所述的多指形晶体管结构，其中每个该源极上的该些接触件连接到一对应的第一金属层，每个该漏极上的该些接触件连接到另一对应的第一金属层。4.如权利要求1所述的多指形晶体管结构，其中每个该连接部位上还包含多个接触件。5.如权利要求1所述的多指形晶体管结构，其中该些气隙还位于相邻的该漏极与该源极之间。6.如权利要求1所述的多指形晶体管结构，其中每个该漏极与对应的该栅极部位之间的介电层中具有多个该气隙。7.如权利要求1所述的多指形晶体管结构，其中该介电层包含层间介电层、第一金属间介电层以及第二金属间介电层。8.如权利要求1所述的多指形晶体管结构，其中该栅极结构连接至射频输入端，该源极连接至接地端，该漏极连接至射频输出端。9.如权利要求1所述的多指形晶体管结构，其中相邻的该些主动区域之间形成浅沟槽结构隔离彼此。10.一种制作多指形晶体管结构的方法，包含：提供基底；在该基底中形成浅沟槽结构隔离界定出多个主动区域；在该基底上形成栅极结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢溯，马瑞吉，鲁迪奥克塔维斯西洪宾，夏姆珀斯萨拉蒂，廖晋宇，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：