本发明专利技术公开一种基板处理装置及膜厚度测量方法。基板处理装置可以包括：腔室，在内部定义有收容空间；工作台，布置于所述收容空间，并用于布置基板；沉积部，布置于所述工作台的下方，并向所述基板喷射沉积物质；以及测量部，布置成与所述沉积部相邻，其中，所述测量部包括：收容部，在至少一表面定义有开口；光源，布置于所述收容部内，并照射第一光；透射部，布置于所述开口，并与所述光源面对，并且接收所述第一光；以及受光部，与所述透射部面对，并接收所述第一光从所述沉积物质反射的第二光。第一光从所述沉积物质反射的第二光。第一光从所述沉积物质反射的第二光。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及膜厚度测量方法
[0001]本专利技术涉及一种能够在原位(In
‑
Situ)测量厚度的基板处理装置及膜厚度测量方法。
技术介绍
[0002]显示面板在彼此对向的第一电极与第二电极之间设置有发光层及包含该发光层的中间层。在这种情况下，所述电极和中间层可以通过各种方法形成，其中一种方法是独立沉积方式。为了利用沉积方法来制作有机发光显示装置，在将要形成薄膜等的基板面紧贴具有与将要形成的薄膜等的图案类似的图案的精细金属掩模(fine metal mask：FMM)，并沉积薄膜等的物质来形成预定图案的薄膜。
[0003]在显示面板的制造工艺中，例如，可以通过沉积在基板上的沉积物质的膜厚度来评估沉积处理的工艺。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种能够在原位(In
‑
Situ)测量厚度的基板处理装置及膜厚度测量方法。
[0005]根据本专利技术的一实施例的基板处理装置可以包括：腔室，在内部定义有收容空间；工作台，布置于所述收容空间，并用于布置基板；沉积部，布置于所述工作台的下方，并向所述基板喷射沉积物质；以及测量部，布置成与所述沉积部相邻，其中，所述测量部包括：收容部，在至少一表面定义有开口；光源，布置于所述收容部内，并照射第一光；透射部，布置于所述开口，并与所述光源面对，并且接收所述第一光；以及受光部，与所述透射部面对，并接收所述第一光从所述沉积物质反射的第二光。
[0006]所述透射部可以包括第一面以及与所述第一面面对的第二面，其中，在所述第二面可以沉积所述沉积物质。
[0007]所述基板处理装置还可以包括：控制部，连接于所述测量部，其中，所述控制部可以根据所述第二光来计算沉积到所述透射部的所述沉积物质的第一厚度。
[0008]所述控制部可以根据反射率或椭圆偏振变化来计算所述第一厚度。
[0009]所述控制部可以根据所述第一厚度来计算沉积到所述基板的所述沉积物质的第二厚度。
[0010]所述控制部可以实时地计算所述第二厚度。
[0011]所述透射部可以设置为多个，所述控制部可以根据所述第一厚度来更换多个所述透射部。
[0012]所述测量部还可以包括：旋转部件，布置有多个所述透射部，并以第一轴为基准旋转。
[0013]所述旋转部件可以包括：多个阻断部件，分别阻断多个所述透射部中与所述光源不重叠的透射部。
[0014]所述沉积物质可以提供为多个，多个所述沉积物质可以包括彼此不同的第一沉积物质及第二沉积物质，在沉积所述第一沉积物质的情况下，所述控制部可以将多个所述透射部中的一个布置成与所述光源重叠，在沉积所述第二沉积物质的情况下，所述控制部可以将多个所述透射部中的另一个布置成与所述光源重叠。
[0015]所述第一光可以包括白色光或激光。
[0016]所述测量部可以布置在所述收容空间内。
[0017]根据本专利技术的一实施例的膜厚度测量方法可以包括如下步骤：将基板设置在定义有内部空间的腔室，在所述内部空间布置有包括照射第一光的光源、接收所述第一光的透射部及与所述光源相邻的受光部的测量部以及喷射沉积物质的沉积部；在所述透射部上沉积沉积层；所述第一光提供至所述透射部；所述第一光通过所述透射部及所述沉积层；所述第一光在所述沉积层与所述内部空间相接的面反射而生成的第二光提供至所述透射部；以及所述受光部接收所述第二光。
[0018]所述膜厚度测量方法还可以包括如下步骤：向所述基板喷射所述沉积物质。
[0019]所述膜厚度测量方法还可以包括如下步骤：在向所述基板喷射所述沉积物质的步骤之后从所述腔室移除所述基板；以及在从所述腔室移除基板的所述步骤之后根据所述第二光来计算所述沉积物质的厚度。
[0020]所述膜厚度测量方法还可以包括如下步骤：在向所述基板喷射所述沉积物质的步骤之后使所述沉积部移动；以及在使所述沉积部移动的步骤之后根据所述第二光来计算所述沉积物质的厚度。
[0021]所述透射部可以包括与所述光源面对的第一面和与所述第一面面对的第二面，所述膜厚度测量方法还可以包括如下步骤：在所述第二面沉积所述沉积物质。
[0022]所述透射部可以设置为多个，所述膜厚度测量方法还可以包括如下步骤：根据沉积到所述第二面的所述沉积物质的厚度来更换多个所述透射部。
[0023]更换多个所述透射部的步骤可以包括如下步骤：使布置有多个所述透射部的旋转部件以第一轴为基准旋转。
[0024]所述沉积物质可以设置为多个，多个所述沉积物质可以包括彼此不同的第一沉积物质及第二沉积物质，所述膜厚度测量方法还可以包括如下步骤：在所述第一沉积物质沉积到所述第二面的情况下，将多个所述透射部中的一个布置成与所述光源重叠；以及在所述第二沉积物质沉积到所述第二面的情况下，将多个所述透射部中的另一个布置成与所述光源重叠。
[0025]如上所述，基板处理装置的控制部可以根据沉积到测量部的沉积层的厚度来计算沉积到基板的沉积层的厚度。随着沉积工艺的进行，沉积物质可以以与沉积到基板的厚度相同的厚度沉积到透射部。通过沉积到测量部的沉积层的厚度，可以提高沉积到基板的沉积层的厚度的准确性。因此，可以提供一种可靠性得到提高的膜厚度测量方法及利用该方法的基板处理装置。
附图说明
[0026]图1是示出根据本专利技术的一实施例的基板处理装置的图。
[0027]图2是示出根据本专利技术的一实施例的膜厚度测量方法的流程图。
[0028]图3a是示出根据本专利技术的一实施例的测量部的透视立体图。
[0029]图3b是示出根据本专利技术的一实施例的测量部的一部分的剖视图。
[0030]图4是示出根据本专利技术的一实施例的测量部的透视立体图。
[0031]图5是根据本专利技术的一实施例的测量按波长的反射率的曲线图。
[0032]图6是根据本专利技术的一实施例的测量按波长的反射率的曲线图。
[0033]图7是根据本专利技术的一实施例的测量按波长的反射率的曲线图。
[0034]图8a是示出根据本专利技术的一实施例的测量部的平面图。
[0035]图8b是根据本专利技术的一实施例的沿图8a的I
‑
I'而截断的剖视图。
[0036]图9是示出根据本专利技术的一实施例的基板处理装置的图。
[0037]图10是示出根据本专利技术的一实施例的基板处理工艺的图。
[0038]图11是示出根据本专利技术的一实施例的基板处理工艺的图。
[0039]图12是示出根据本专利技术的一实施例的基板处理工艺的图。
具体实施方式
[0040]在本说明书中，当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一构成要素“之上”或者与另一构成要素“连接”或“结合”时，其表示可以直接布置在另一构成要素上或者与另一构成要素直接连接/结合，或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。
[0041]相似的附图标记指代相似的构成要素。并且，在附图中，构成要素的厚度本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：腔室，在内部定义有收容空间；工作台，布置于所述收容空间，并用于布置基板；沉积部，布置于所述工作台的下方，并向所述基板喷射沉积物质；以及测量部，布置成与所述沉积部相邻，其中，所述测量部包括：收容部，在至少一表面定义有开口；光源，布置于所述收容部内，并照射第一光；透射部，布置于所述开口，并与所述光源面对，并且接收所述第一光；以及受光部，与所述透射部面对，并接收所述第一光从所述沉积物质反射的第二光。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述透射部包括第一面以及与所述第一面面对的第二面，其中，在所述第二面沉积所述沉积物质。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：控制部，连接于所述测量部，其中，所述控制部根据所述第二光来计算沉积到所述透射部的所述沉积物质的第一厚度。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述控制部根据反射率或椭圆偏振变化来计算所述第一厚度。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述控制部根据所述第一厚度来计算沉积到所述基板的所述沉积物质的第二厚度。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述控制部实时地计算所述第二厚度。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述透射部设置为多个，所述控制部根据所述第一厚度来更换多个所述透射部。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述测量部还包括：旋转部件，布置有多个所述透射部，并以第一轴为基准旋转。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述旋转部件包括：多个阻断部件，分别阻断多个所述透射部中的与所述光源不重叠的透射部。10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述沉积物质提供为多个，多个所述沉积物质包括彼此不同的第一沉积物质及第二沉积物质，在沉积所述第一沉积物质的情况下，所述控制部将多个所述透射部中的一个布置成与所述光源重叠，在沉积所述第二沉积物质的情况下，所述控制部将多个所述透射部中的另一个布置成与所述光源重叠。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第一光包括白色光或激光。12.根据权利要求1所述的基板处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：庆在善，朴英吉，朴锺润，郑洙任，黄德炫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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