限流指示电路、芯片及电子设备制造技术

本公开的实施例提供一种限流指示电路、芯片及电子设备，属于集成电路技术领域。所述限流指示电路包括：电流采样电路根据负载电流信号，产生与负载电流信号存在倍数关系的第一采样电流信号和第二采样电流信号，并将二者分别经由第一节点和第二节点提供至电流比较电路；基准电流源产生基准电流信号并经由第一节点提供至电流比较电路；电流比较电路将第一采样电流信号与基准电流信号进行比较，得到第一比较信号，并根据第一比较信号与设定电流信号的比较结果、以及根据第一比较信号与第二采样电流信号之和与设定电流信号的比较结果，输出限流指示信号，其中，与负载电流信号存在倍数关系的第二采样电流信号与限流滞回量正相关。系的第二采样电流信号与限流滞回量正相关。系的第二采样电流信号与限流滞回量正相关。

【技术实现步骤摘要】
限流指示电路、芯片及电子设备


[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地涉及一种限流指示电路、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]目前的限流指示电路中，当所检测电路输出的负载电流超过限流阈值之后，限流指示电路中的闭环结构将会提供限流保护。为了实现提前指示限流发生的功能，需要设置一比限流阈值更小的过流指示值，以及比过流指示值更小的过流状态解除值，当负载电流达到过流指示值时，输出的限流指示信号为高电平，当负载电流降至过流状态解除值时，输出的限流指示信号为低电平。过流指示值与过流状态解除值之间的差值为限流滞回量。
[0003]但是在实际应用中，由于设备精度等因素的影响，负载电流极易出现
±
2％的波动，当负载电流较小时，其波动范围还可处于限流滞回量中，限流指示电路还可以起到过滤负载电流抖动的作用。但是当负载电流过大时，对于固定的限流滞回量的限流指示电路来说，则无法将负载电流上的抖动过滤掉，限流指示信号还是会由高电平反转为低电平，进而限流指示信号会出现频繁振荡的现象。由于在实际应用中后级芯片需要采集限流指示信号做出后续动作，频繁振荡的限流指示信号会导致后级芯片做出错误动作。

技术实现思路

[0004]本公开的实施例的目的是提供一种限流指示电路、芯片及电子设备，通过改进的限流指示电路，当负载电流接近限流阈值时，可以过滤负载电流上的波动，实现了限流滞回量随着限流阈值的变化而变化，保证了在发生限流指示信号的过程中，限流指示信号不会出现频繁振荡的现象。
[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种限流指示电路。所述限流指示电路与提供驱动电流的电荷泵相连接，所述限流指示电路包括：电流采样电路、基准电流源、以及电流比较电路。其中，所述电流采样电路被配置为根据接收的负载电流信号，产生与所述负载电流信号存在倍数关系的第一采样电流信号和第二采样电流信号，并分别经由第一节点和第二节点向所述电流比较电路提供所述第一采样电流信号和所述第二采样电流信号；所述基准电流源被配置为产生基准电流信号并经由所述第一节点向所述电流比较电路提供所述基准电流信号；所述电流比较电路被配置为将所述第一采样电流信号与所述基准电流信号进行比较，得到第一比较信号，并根据所述第一比较信号与设定电流信号的比较结果、以及根据所述第一比较信号与所述第二采样电流信号之和与所述设定电流信号的比较结果，输出限流指示信号。
[0006]在本公开的一些实施例中，所述电流采样电路包括：第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和误差放大器，其中，所述第一电阻的第一端耦接第一电压端，所述第一电阻的第二端耦接所述误差放大器的同向输入端；所述第二电阻的第一端耦接所述第一电压端，所述第二电阻的第
二端耦接所述误差放大器的反向输入端；所述第一晶体管的控制极耦接所述电荷泵的输出端，所述第一晶体管的第一极耦接所述误差放大器的同向输入端，所述第一晶体管的第二极耦接负载电流输入端与第二电压端；所述第二晶体管的控制极耦接所述误差放大器的输出端，所述第二晶体管的第一极耦接所述误差放大器的反向输入端，所述第二晶体管的第二极耦接所述第四晶体管的第一极；所述第三晶体管的控制极耦接所述误差放大器的输出端，所述第三晶体管的第一极耦接所述误差放大器的反向输入端，所述第三晶体管的第二极耦接所述第二节点；所述第四晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的第一极，所述第四晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第五晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的控制极，所述第五晶体管的第一极耦接所述第六晶体管的第一极，所述第五晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第六晶体管的控制极耦接所述第六晶体管的第一极，所述第六晶体管的第二极耦接所述第一电压端；所述第七晶体管的控制极耦接所述第六晶体管的控制极，所述第七晶体管的第一极耦接所述第一节点，所述第七晶体管的第二极耦接所述第一电压端。
[0007]在本公开的一些实施例中，所述基准电流源的第一端耦接所述第一节点，所述基准电流源的第二端耦接所述第二电压端。
[0008]在本公开的一些实施例中，所述电流比较电路包括：第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第一电流源和第一反相器，所述第八晶体管的控制极耦接所述第八晶体管的第一极与所述第一节点，所述第八晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第九晶体管的控制极耦接所述第八晶体管的控制极，所述第九晶体管的第一极耦接所述电荷泵的输出端，所述第九晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第十晶体管的控制极耦接所述第八晶体管的控制极，所述第十晶体管的第一极耦接所述第一电流源的第一端，所述第十晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第十一晶体管的控制极耦接所述限流指示信号输出端，所述第十一晶体管的第一极耦接所述第一电流源的第一端，所述第十一晶体管的第二极耦接所述第十二晶体管的第一极；所述第十二晶体管的控制极耦接所述第十三晶体管的控制极，所述第十二晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第十三晶体管的控制极耦接所述第十三晶体管的第一极以及所述第二节点，所述第十三晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第一电流源的第二端耦接所述第一电压端；所述第一反相器的输入端耦接所述第一电流源的第一端，所述第一反相器的输出端耦接所述限流指示信号输出端。
[0009]在本公开的一些实施例中，当所述第一比较信号大于所述设定电流信号时，输出的所述限流指示信号为高电平信号；当所述第一比较信号与所述第二采样电流信号之和小于所述设定电流信号时，输出的所述限流指示信号为低电平信号。
[0010]在本公开的一些实施例中，所述第一晶体管、第四晶体管和第五晶体管均为NMOS晶体管，且所述第四晶体管的宽长比大于所述第五晶体管的宽长比；所述第二晶体管、第三晶体管、第六晶体管和第七晶体管均为PMOS晶体管，且所述第二晶体管的宽长比大于所述第三晶体管的宽长比，所述第六晶体管的宽长比大于所述第七晶体管的宽长比。
[0011]在本公开的一些实施例中，所述第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和第十三晶体管均为NMOS晶体管，且所述第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管的宽长比相等，所述第十二晶体管和第十三晶体管的宽长比相等。
[0012]在本公开的一些实施例中，所述电荷泵提供的驱动电流为所述设定电流信号的2倍。
[0013]根据本公开的第二方面，提供了一种芯片。该芯片包括根据本公开的第一方面所述的限流指示电路。
[0014]根据本公开的第三方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括根据本公开的第二方面所述的芯片。
[0015]本公开的实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0016]附图是用来提供对本公开的实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开的实施例，但并不构成对本公开的实施例的限制。在附图中：
[0017本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种限流指示电路，其与提供驱动电流的电荷泵相连接，其特征在于，所述限流指示电路包括：电流采样电路、基准电流源、以及电流比较电路，其中，所述电流采样电路被配置为根据接收的负载电流信号，产生与所述负载电流信号存在倍数关系的第一采样电流信号和第二采样电流信号，并分别经由第一节点和第二节点向所述电流比较电路提供所述第一采样电流信号和所述第二采样电流信号；所述基准电流源被配置为产生基准电流信号并经由所述第一节点向所述电流比较电路提供所述基准电流信号；所述电流比较电路被配置为将所述第一采样电流信号与所述基准电流信号进行比较，得到第一比较信号，并根据所述第一比较信号与设定电流信号的比较结果、以及根据所述第一比较信号与所述第二采样电流信号之和与所述设定电流信号的比较结果，输出限流指示信号，其中，与所述负载电流信号存在倍数关系的所述第二采样电流信号与限流滞回量正相关。2.根据权利要求1所述的限流指示电路，其特征在于，所述电流采样电路包括：第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和误差放大器，其中，所述第一电阻的第一端耦接第一电压端，所述第一电阻的第二端耦接所述误差放大器的同向输入端；所述第二电阻的第一端耦接所述第一电压端，所述第二电阻的第二端耦接所述误差放大器的反向输入端；所述第一晶体管的控制极耦接所述电荷泵的输出端，所述第一晶体管的第一极耦接所述误差放大器的同向输入端，所述第一晶体管的第二极耦接负载电流输入端与第二电压端；所述第二晶体管的控制极耦接所述误差放大器的输出端，所述第二晶体管的第一极耦接所述误差放大器的反向输入端，所述第二晶体管的第二极耦接所述第四晶体管的第一极；所述第三晶体管的控制极耦接所述误差放大器的输出端，所述第三晶体管的第一极耦接所述误差放大器的反向输入端，所述第三晶体管的第二极耦接所述第二节点；所述第四晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的第一极，所述第四晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第五晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的控制极，所述第五晶体管的第一极耦接所述第六晶体管的第一极，所述第五晶体管的第二极耦接所述第二电压端；所述第六晶体管的控制极耦接所述第六晶体管的第一极，所述第六晶体管的第二极耦接所述第一电压端；所述第七晶体管的控制极耦接所述第六晶体管的控制极，所述第七晶体管的第一极耦接所述第一节点，所述第七晶体管的第二极耦接所述第一电压端。3.根据权利要求1所述的限流指示电路，其特征在于，所述基准电流源的第一端耦接所述第一节点，所述基准电流源的第二端耦接所述第二电压端。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：林克龙，于翔，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：