成膜方法及原料溶液技术

本发明专利技术涉及一种成膜方法，其为对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜的成膜方法，其特征在于，将金属镓溶解于含有氢溴酸及氢碘酸中的至少一种的酸性溶液中，制备金属杂质的浓度小于2％的所述原料溶液，将该原料溶液雾化并进行成膜。由此，能够提供一种成膜方法，该方法能够以高成膜速度成膜为结晶性良好的膜。法能够以高成膜速度成膜为结晶性良好的膜。法能够以高成膜速度成膜为结晶性良好的膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜方法及原料溶液


[0001]本专利技术涉及对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜的成膜方法、及在该成膜方法中使用的原料溶液。

技术介绍

[0002]以往，开发出了能够实现脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition，PLD)、分子束外延法(Molecular beam epitaxy,MBE)、溅射法(sputtering)等的非平衡状态的高真空成膜装置，能够制造迄今为止通过熔液法等无法制造的氧化物半导体。此外，还开发出了使用经雾化的雾状的原料，使其在基板上进行晶体生长的雾化化学气相沉积法(Mist Chemical Vapor Deposition：Mist CVD。以下，也称为“雾化CVD法”)，使制造具有刚玉结构的氧化镓(α
‑
Ga2O3)成为可能。α
‑
Ga2O3作为带隙较大的半导体，可期待其在能够实现高耐压、低损耗及高耐热的新一代开关元件中的应用。
[0003]关于雾化CVD法，专利文献1中记载了一种管式炉型的雾化CVD装置。专利文献2中记载了一种细通道型的雾化CVD装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成膜方法，其为对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜的成膜方法，其特征在于，将金属镓溶解于含有氢溴酸及氢碘酸中的至少一种的酸性溶液中，制备金属杂质的浓度小于2％的所述原料溶液，将该原料溶液雾化，进行成膜。2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述原料溶液含有作为所述金属杂质的选自由铝、钴、铬、铜、铁、锰、镍、钛、钒、锆、镁、锌、铟、铅、钡、镉、锶、钙、锑、钠及钾组成的组中的至少一种的金属元素。3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，使用所述金属杂质的浓度小于0.5％的所述原料溶液。4.根据权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，作为所述原料溶液，使用镁的浓度为0.5％以下、钴的浓度为0.5％以下、铬的浓度为0.5％以下、铁的浓度为1.5％以下、锰的浓度为0.4％以下、镍的浓度为0.3％以下、钛的浓度为0.1％以下、钒的浓度为0.2％以下、锆的浓度为0.1％以下、钡的浓度为0.5％以下、钙的浓度为0.5％以下、锶的浓度为0.5％以下、锌的浓度为0.9％以下、铟的浓度为0.5％以下、铅的浓度为1.7％以下、锑的浓度为1.5％以下、铝的浓度为0.2％以下、钠的浓度为1.7％以下、钾的浓度为1.4％以下、铜的浓度为0.5％以下、镉的浓度为0.5％以下且所述金属杂质的总浓度小于2％的所述原料溶液。5.一种成膜方...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂爪崇宽，渡部武纪，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：