一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法技术

本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强。可重复性强。可重复性强。

【技术实现步骤摘要】
一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法


[0001]本申请涉及纳米半导体材料
，特别涉及一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法。

技术介绍

[0002]日盲紫外线(UV)光电探测器在军事和民用监视等领域有着广泛且不断增长的应用，例如导弹跟踪、安全通信、火灾探测、臭氧空洞监测、化学/生物分析和电晕探测等。原则上，光电探测器以三种基本模式工作：光电导探测器、光电二极管pn结和肖特基势垒探测器。大量材料已应用于紫外光电探测器，例如，宽禁带半导体，如ZnMgO、GaN和AlGaN已开发用于紫外光电探测器。然而，基于这些材料的紫外光电探测器的应用受限于其严格的生长条件、低结晶质量、低响应度和低外量子效率(EQE)。因此，寻找对紫外线非常敏感的替代材料非常重要。
[0003]作为一种特殊设计的材料，包含一种材料、两种或多种不同材料的不同相的混合相材料具有令人意想不到的优异的光电、催化、磁性、铁电及磁电性能。因此，研究混合材料是开发和扩展材料性能的重要研究方向之一。氧化镓是超宽带隙半导体材料之一，与窄带隙和普通宽带隙半导体材料相比，氧化镓具有特别宽的带隙(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，其特征在于，将单质铟和单质镓混合后与含有氧气的气体在衬底上进行化学气相沉积，制得铟镓氧化物纳米材料。2.如权利要求1所述的铟镓氧化物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述单质铟和所述单质镓混合后放置于一容器内，加热至混合均匀，所述衬底置于所述容器内距离混合后的反应原料1cm处。3.如权利要求2所述的铟镓氧化物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述硅衬底上镀有金膜，所述金膜作为催化剂。4.如权利要求3所述的铟镓氧化物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述金膜的厚度为10～15nm。5.如权利要求2所述的铟镓氧化物纳米材料的制备方法，其特征在于，将所述容器置于管式炉内并封闭，进行抽真空并用氩气洗气，所述管式炉升温，达到反应温度后通入氩氧混合气体，反应结束后自然冷却，即可得到铟镓氧化物纳米材料。6.如权利要求5所述的铟镓氧化物纳米材料的制备方法，其特征在于，所述容器放置在所述管式炉的单温区内正中心位置，反应原料位于气流方向上游...

【专利技术属性】
技术研发人员：张法碧，吴阳，周娟，李海鸥，孙堂友，陈永和，刘兴鹏，李琦，王阳培华，廖清，陈赞辉，首美花，彭英，傅涛，肖功利，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：