一种基于多晶InSe生长In2O3纳米线的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于多晶InSe材料生长In2O3纳米线的制备方法，涉及纳米材料生长与纳米结构设计技术领域，其技术方案要点是：包括以下4个步骤,S1多晶InSe粉末材料的准备；S2多晶InSe块体材料的准备；S3多晶InSe薄片材料的准备；S4高温氧化制备In2O3纳米线。该制备方法简单、便捷，样品得率高效稳定，所涉及的设备及耗材价格低廉，为In2O3纳米线生长与应用奠定了良好基础。定了良好基础。定了良好基础。

【技术实现步骤摘要】
一种基于多晶InSe生长In2O3纳米线的制备方法


[0001]本专利技术涉及纳米材料制备
，更具体地说，它涉及一种基于多晶InSe生长In2O3纳米线的制备方法。

技术介绍

[0002]在过去的二十年里，各式各样的纳米材料由于它们独特的物理或化学性质在各个领域引起了广泛关注。近年来，纳米氧化物半导体已成为发光、场发射显示器、光电二极管、太阳能电池、传感器和激光器等先进应用领域的优秀候选材料，其中一维(1D)氧化物半导体，包括ZnO、TiO2、SnO2和In2O3等，由于优异的性能(例如，快速响应、高灵敏度、定向电子传输和优越的空间分辨率)，因此受到了广泛的研究。
[0003]氧化铟(In2O3)是一种典型的n型氧化物半导体，带隙宽度3.55eV
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3.75eV。由于其独特的光学、化学和电子学性质，被广泛应用于电子和光电子器件、平板显示器、气体传感器和光催化等领域。因此，合成高质量的In2O3纳米结构，对于研究其电子性质以及在传感、发光二极管和纳米级晶体管中的潜在应用非常重要。目前人们通常通过化学气相沉积(CVD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于多晶InSe生长In2O3纳米线的制备方法，其特征是：包括以下步骤：S1.多晶InSe粉末材料的准备；S2.多晶InSe块体材料的准备；S3.多晶InSe薄片材料的准备；S4.空气中高温氧化制备In2O3纳米线。2.根据权利要求1所述的一种基于多晶InSe生长In2O3纳米线的制备方法，其特征是：S1.多晶InSe粉末材料的准备：将In和Se装入石英管中，使用真空泵对石英管抽真空处理，随后将密封好的石英管放入马弗炉中烧结得到多晶InSe粉末。3.根据权利要求1所述的一种基于多晶InSe生长In2O3纳米线的制备方法，其特征是：S2.多晶InSe块体材料的准备：将S1中制备得到的多晶InSe粉末导入石墨管中，放置到热压机上，通过热压机将多晶InSe粉末处理为多晶InSe块体。4.根据权利要求1所述的一种基于多晶In...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰，张斌，周小元，郑思康，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：