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本发明公开了一种基于多晶InSe材料生长In2O3纳米线的制备方法，涉及纳米材料生长与纳米结构设计技术领域，其技术方案要点是：包括以下4个步骤,S1多晶InSe粉末材料的准备；S2多晶InSe块体材料的准备；S3多晶InSe薄片材料的准备；...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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