【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制造电子装置—诸如半导体装置、液晶显示装置、成像装置(电荷耦合装置等)以及薄膜磁头-时所使用的曝光设备,并且还涉及装置制造方法。
技术介绍
在通过光刻工艺制造电子装置-诸如半导体装置和液晶显示装置-时,使用投影掩模或标线片(下文通称为标线片)的图案图像的投影膝光设备,其中图案是通过投影光学系统在涂有感光材料(抗蚀剂)的衬底上的各投影(拍摄(shot))区上形成的。通过将衬底用上述投影膝光设备曝光并然后执行后处理,使得电路图案被转移到将被爆光的衬底上,从而形成电子装置的电路。近年来,集成电路的集成水平,即电路图案的精细度一直在不断提高。因此,投影啄光设备中所使用的曝光照明光束(曝光光)的波长有变短的趋势。也就是,开始使用短波长光源,诸如KrF受激准分子激光(248 nm波长)代替最近之前一直是主流光源的汞灯,使用更短波长ArF受激准分子激光(193 nm )的曝光设备正进入商品化的最后阶段。此外,正在开发使用Fr激光(157nm)的曝光设备,以实现更高集成水平。波长小于约190 nm的光束属于真空紫外区,这样的光束不通过空气传播。这是因为该光束的能量 ...
【技术保护点】
一种曝光设备,其中衬底经由其上形成有图案的掩模并经由投影光学系统而被曝光,所述曝光设备包括: 支撑所述衬底的载台; 位于所述载台和所述投影光学系统之间的气氛形成部件,所述气氛形成部件在所述投影光学系统和所述载台或所述衬底之间形成 特定流体气氛,和 可变形部件,其中经由所述可变形部件,所述气氛形成部件被支承部件支承。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:长坂博之,大和壮一,
申请(专利权)人:株式会社尼康,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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