用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法技术

本公开内容涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物在对光致抗蚀剂具有优异的剥离力的同时，具有改善的光致抗蚀剂溶解度并且抑制在剥离过程期间对下部金属膜的腐蚀。对下部金属膜的腐蚀。对下部金属膜的腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法


[0001]本公开内容涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法，并且更特别地，涉及这样的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物在对光致抗蚀剂具有优异的剥离能力的同时，抑制剥离过程中对下部金属膜的腐蚀，并且具有改善的光致抗蚀剂溶解度。

技术介绍

[0002]液晶显示装置的微电路或半导体集成电路的制造过程包括以下几个步骤：在基底上形成各种下部膜，例如，由铝、铝合金、铜、铜合金、钼或钼合金制成的导电金属膜，或者绝缘膜例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或丙烯酸类(acryl)绝缘膜；在这样的下部膜上均匀地涂覆光致抗蚀剂；任选地使所涂覆的光致抗蚀剂曝光并显影以形成光致抗蚀剂图案；以及用该光致抗蚀剂图案作为掩模对下部膜进行图案化。在这些图案化步骤之后，进行除去残留在下部膜上的光致抗蚀剂的过程。为此目的，使用用于除去光致抗蚀剂的剥离组合物。
[0003]先前，公知并主要使用包含胺化合物、极性质子溶剂和极性非质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其包含：伯或仲链胺化合物；环状胺化合物；其中氮经一个或两个具有1至5个碳原子的线性或支化烷基取代的沸点为180℃或更高的酰胺化合物；质子溶剂；和腐蚀抑制剂，其中相对于所述剥离剂组合物的总重量，所述其中氮经一个或两个具有1至5个碳原子的线性或支化烷基取代的沸点为180℃或更高的酰胺化合物以60重量％至90重量％的量包含在内，以及其中所述伯或仲链胺化合物与所述环状胺化合物的重量比为100:1至1:1。2.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述其中氮经一个或两个具有1至5个碳原子的线性或支化烷基取代的沸点为180℃或更高的酰胺化合物包括以下化学式1的化合物：[化学式1]其中，在化学式1中，R1为氢、甲基、乙基或丙基，R2为甲基或乙基，R3为氢或者具有1至5个碳原子的线性或支化烷基，以及R1和R3任选地彼此结合以形成环。3.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述其中氮经一个或两个具有1至5个碳原子的线性或支化烷基取代的沸点为180℃或更高的酰胺化合物包括选自以下中的至少一者：N
‑
甲基甲酰胺、N
‑
乙基甲酰胺、N
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮和N
‑
乙基
‑2‑
吡咯烷酮。4.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述伯或仲链胺化合物与所述环状胺化合物的重量比为80:1至1.5:1。5.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：相对于所述剥离剂组合物的总重量，所述伯或仲链胺化合物与所述环状胺化合物的总含量以1重量％至20重量％的量包含在内。6.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述伯或仲链胺化合物包括选自以下中的至少一者：2
‑
(2
‑
氨基乙氧基)乙醇、1
‑
氨基
‑2‑
丙醇、单乙醇胺、氨基乙基乙醇胺、N
‑
甲基乙醇胺和二乙醇胺。7.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述环状胺化合物包含分子内叔胺结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙成旼，朴泰文，宋贤宇，崔容铣，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：